苹果6通病——插卡无服务维修思路和教程
苹果手机每一代都有某个功能特别容易坏，我们管这种故障叫通病。比如苹果5S不充电、苹果6代的无服务、苹果6p的触摸不灵跳白条。。。。等。今天学妹给大家讲下苹果6无服务的大概维修思路和教程。
维修思路
1，判断无服务的故障部位
在手机设置——关于本机中看手机的基带版本（调制解调器固件）和IMEI是否还在。
有基带： 说明手机无服务是由射频电路（射频供电、天线开关、2G，4G功放、滤波器、射频IC、信号接收通道）引起。这种我们叫它为小三无。
接着可以在设置里面“手动搜索网络”看是否能搜索到中国移动/中国联通，能搜索到说明是TX电路引起，搜索不到说明是RX电路引起。
无基带： 说明手机功能机部分（基带CPU、基带码片、基带电源、时钟晶体等）引起。这种我们叫它为大三无（无基带、无信号、无串号）。
2，苹果6无服务通病
点位图
原理图
思路：设置关于手机里面，调制解调器固件和IMEI都有，拨号页面按*#06#不出串号。这种一般是基带CPU的U1、V1角断线。 这两个脚飞线重装回去80％这种故障都能解决。飞线后还是无服务我们再测供电IC的供电输出，无供电输出换功放供电。有供电输出再换天线开关、2G，4g功放，低频段功放、最后再射频IC。
维修过程
关于手机页面
无服务
第一步：看是否有基带 上图可以看到这部苹果6，基带版本和IMEI都在，不过拨号页面按*#06#不出串号，这是典型的苹果6无服务通病。
点位图
拆出来的主板
第二步:把主板拆出来 拆主板前可以先用镊子夹住天线，充当假天线，排除下外配问题。
斜口钳
拆屏蔽罩
拆好屏蔽罩的主板
第三步： 拆基带屏蔽罩 ，这里建议用斜口钳直接把屏蔽罩夹下来。用风枪拆的话，温度要360°，屏蔽罩焊锡融化了，屏蔽罩里面的芯片也融化了，一不小心动下主板很有可能里面的芯片全歪了。斜口钳夹下来的话就比较安全。
861DW
贴好锡箔纸
拆基带CPU
第四步：拆基带芯片 风枪温度调到360°、风速50。接着基带两边先贴上锡箔纸，防止吹伤卡槽。苹果6代的基带没有胶，所以可以直接夹下来或者用镊子翘下来。
加焊油
拖中温锡
第五步：拖中温锡 焊盘上的是高温锡我们需要把高温锡结合成中温锡。用烙铁拖之前，需要先加点焊油，有助于焊盘上锡的结合和烙铁的粘锡。
300°风速50
去底盘中温锡
清好的底盘
第六步：清理焊盘上的中温锡 风枪调到300° 风速50 底盘再加些焊油，配合吸锡带快速清理掉底盘上的中温锡。
基带CPU阻值图
万用表
第七步：测量u1、v1脚阻值是否正常 u1脚正常阻值300多，v1脚正常阻值400多。要是基带拆出来掉点了或者测出来阻值不对，这种基本飞完先就好了。要是测出来阻值正常，也要飞线，因为焊点测的时候是正常的，手机在运行的时候温度升高，焊点还是会虚焊。
飞线中
刮底盘
飞好线
绿油 固化灯
上好绿油
第八步：飞线 先把U1、V1脚相通的底盘刮开，上点焊油 接着飞线。飞线飞好后涂上绿油，用固化灯固话。
植锡
第九步：植锡 植锡的话 植锡网很重要。学长说最好用的植锡网是潜力创新，不过太贵。其次是阿毛易修，价格还可以， 几块钱的威利牌的最好用。
300°风速50
吹上去的基带
第十步：把基带cpu吹上去 底盘加些焊油，温度300 风速50。吹个10几秒用镊子推下归为就好了。
有信号啦
第十一步：装机测试 插卡有信号啦 按*#06#串号也出来了。哈哈 要是还没有信号 估计就要学长出手了。
最后大家可以关注下“学长数码” ，后面还有更多有关手机电脑的教程发布。有什么有关手机电脑想了解的也可以评论留言，有空的话学长会写出来给大家参考。
手机射频功放设计技术介绍
硅 vs III/V族器件工艺
尽管CMOS技术在过去几年得到了加强，但60%的手机功放市场仍然由III/V族制造商主导，如RFMD，Skyworks和Triquint( RFMD和Triquint合并成了现在的Qorvo)。 在实际应用中，GaAs pHEMT或者InGaP HBT是设计手机PA模块最常用的器件技术。 这些技术在截止频率、击穿电压、坚固可靠性、线性度、功率密度和过渡时间等方面都表现出了最佳的性能。
表1概述了手机射频功放设计目前所采用技术特性
表1 从PA设计角度比较各种工艺技术
乘积f T * BV（截止频率乘以漏源击穿电压）是评估技术在高功率射频应用中的符合性的有用标准。 表2提供了各种工艺的比较数据。 硅LDMOS由于其低成本、高线性，主要应用于基站射频PA市场。 基于GaN或SiC衬底上的功放技术似乎也是非常有前途的，因为它们提高了射频和热性能。 尽管线性较低，但它们的目标是与硅LDMOS竞争，特别是在WCDMA（3G）或LTE（4G）基础设施部署方面。
表2 III/V族和SiGe的性能比较表
先前的讨论提出了CMOS/BICMOS 的制造在未来几年内可能在PA市场上发挥作用的问题。 手机功率放大器领域的领先公司通常在系统封装组件(SIP)中提出多模式多波段PA模块。 这种小型化和复杂的SIP组件包括一个或几个GaAs/InGaP功率die，CMOS控制器IC和集成耦合器/信号提取器（即滤波器）。 这一趋势将在未来的现代无线终端中走向更高的复杂性。事实上，在一个单一模块上需要联合处理更多的工作频段(GSM、EDGE、WCDMA、LTE、蓝牙、WIMAX等)以及集成更多的功能(电源管理、MIMO等)。
这两项要求导致了必要的SIP叠层面积的增加，BoM物料清单（大量的PA die，无源滤波器等）以及
成本的增加。 这可能有利于单模解决方案，并强调了BICMOS技术的优点，它们的成本相对较低，性能持续良好，它们能够很容易地将功率放大器与功率检测器（滤波器）、控制器电路、传感器（例如温度探头）和同一die上的任何其他模拟/数字块共集成；而与GaAs工艺共集成是相当不切实际的。
ST微电子0.25µm的BICMOS技术介绍
工艺概述
ST微电子BICMOS 0.25µm技术(B7 RF)是一种SiGe工艺，它允许涵盖所有数字、模拟以及射频应用。 尽管要处理的物理层数量相对较高，但与最先进的CMOS对应方相比，每平方毫米的成本仍然很低。 它具有集成能力、击穿电压和射频性能之间的良好折中，因为它具有较高的衬底电阻率。 它提供了一个厚的顶部金属层(Al或铜选项)，使设计中等品质因子（即Q因子）的无源器件(在2GHz电感的Q值达到10)，并提供设计稳定可靠的电迁移(高达5uA/µm)，以及低寄生电容效应。 有源器件包括用于高速低噪声应用的MOS和SiGe异质结双极晶体管(HBT)，以及用于功率放大的横向掺杂MOS(LDMOS)和高压HBT。 LDMOS器件致力于高频应用，必须与几何相似的漂移MOS(包括LOCOS)和致力于电源管理IO（低频和高压特性）区分开来。 额外的组件，如用于功率检测的肖特基二极管也是可以用来设计的。
后面我们会更加详细地介绍ST微电子的0.25µm BICMOS工艺技术的各种类型的器件以及工艺参数。
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