DC-DC外围器件选型对性能的影响
从电流纹波开始谈，随着开关的打开和闭合，升压电感器会有电流纹波。一般建议纹波电流应该低于平均电感电流的20%。电感值的选择部分取决于期望的纹波电流和反应速度。如下面公式，较高的VIN或者VOUT会增加纹波电流。电感当然必须能够在不造成磁芯饱和情况下处理峰值开关电流。
公式可以反应几个问题，1.开关频率越高，电感值就可以越小；
2. 电感值增大能减小电流纹波，但是电感增大，尺寸会变大，更重要的是电流变化会减慢，音频应用中会动态相应不佳，所以在音频中的应用一般不建议超过3.3uH。
为避免电感饱和，电感额定电流值是DCDC最大输出电流值和电感纹波电流之和。
电感的直流电阻RDC取决于材料和构造，的RDC的大小直接影响线圈的温度上升，因此尽量选择RDC小的电感。选型时也要注意电感尺寸，厚度等，因为这些跟DCR有关。例如下表是同一厂家相同材料的三个型号。
L0
size
DCR(mOhm)
Isat(A)饱和电流
2.2uH
4.9*5.2*3mm
21
8.2
2.2uH
6.8*7.3*3mm
11
14
2.2uH
6.8*7.3*1.8mm
35
7.2
再次强调，直流阻抗DCR非常重要，假设做2X5W，则电源电流大概是4A左右，直流阻抗是0.04，则电感上的功耗就要0.64W，还是很大的，所以直流阻抗对效率的影响还是很明显的。选择电感时一般建议小于30mOhm。
关于饱和电流，选择电感首先要满足电流的需求，了解芯片电感的最大电流，选择电感饱和电流，强调，这里是电感最大电流而不是电源平均电流，这里几乎相差了一倍。以2X6W功放ft2925为例，在VBAT=3.7V时电源平均电流不到4A，而电感上的最大电流在7A左右，所以选择电感时尽量选择饱和电流在7A左右的。单通道1X7W的ft2910，电感上的最大电流在3.6A左右。
线圈的总损耗除了RDC，还包括与频率相关的损耗分量，磁芯材料（磁滞损耗，涡流损耗），趋肤效应造成导体中的损耗（高频电流位移），相邻绕组的磁场损耗以及辐射损耗。所有损耗构成串联损耗电阻RS。它用于定义电感器的品质。电感线圈电抗XL与RS之比称为品质因素Q。Q越大，损耗越小，效率越高。
输出电容的选择
输出电容器的有效串联电阻和电感器值会直接影响输出纹波电压。利用电感器纹波电流和输出电容器的ESR可以估算输出电压纹，如下公式。除了考虑纹波外，就是环路的稳定性。内部补偿环路做的好，外围不需要太大的电容，电容太大会影响瞬态响应，例如很多DCDC或者集成DCDC的功放规格书上要求客户除了10uF或者22uF陶瓷外，还要加470uF以上的电解电容，目的有两个，一是需要大电容稳定环路，二是减小纹波，三是芯片内部电流能力如果不够，需要470uF大电容提供瞬间电流。大电容增加体积，另外影响了瞬态响应。大功率下TI/MPS/方泰等IC厂家一般建议100~220uF，当然靠近VOUT管脚放1uF和22uF还是必要的。
整流二极管的选择
首先二极管反向额定电压和额定电流要够，另外正向导通电压必须很低，否则二极管导通时有很大的损耗，降低DCDC的效率，特别是对便携式产品电源设计要求就会加高。
此外芯片内部MOSFET开关频率高，二极管导通到非导通速度要很快，越快效率越高。
目前一些芯片是同步的，同步整流是专用功率MOSFET取代二极管，同步能大大提高效率。用功率MOSFET整流时，要求栅极电压必须与被整流电压相位同步才能完成整流，所以叫同步整流。如果考虑温升影响，同步升压外面还是可以额外增加肖特基，以便在温度上升时外部肖特基二极管分担部分电流，提高效率，例如2X6W音频功放ft2925是同步整流，但参考电路上还是增加了一个肖特基。对于异步的DCDC，可以用两颗肖特基并联，以减小直流阻抗，与选电感同一个道理，低阻抗的二极管能提高效率。
DC-DC外围器件选型对性能的影响
从电流纹波开始谈，随着开关的打开和闭合，升压电感器会有电流纹波。一般建议纹波电流应该低于平均电感电流的20%。电感值的选择部分取决于期望的纹波电流和反应速度。如下面公式，较高的VIN或者VOUT会增加纹波电流。电感当然必须能够在不造成磁芯饱和情况下处理峰值开关电流。
公式可以反应几个问题，1.开关频率越高，电感值就可以越小；
2. 电感值增大能减小电流纹波，但是电感增大，尺寸会变大，更重要的是电流变化会减慢，音频应用中会动态相应不佳，所以在音频中的应用一般不建议超过3.3uH。
为避免电感饱和，电感额定电流值是DCDC最大输出电流值和电感纹波电流之和。
电感的直流电阻RDC取决于材料和构造，的RDC的大小直接影响线圈的温度上升，因此尽量选择RDC小的电感。选型时也要注意电感尺寸，厚度等，因为这些跟DCR有关。
再次强调，直流阻抗DCR非常重要，假设做2X5W，则电源电流大概是4A左右，直流阻抗是0.04，则电感上的功耗就要0.64W，还是很大的，所以直流阻抗对效率的影响还是很明显的。选择电感时一般建议小于30mOhm。
关于饱和电流，选择电感首先要满足电流的需求，了解芯片电感的最大电流，选择电感饱和电流，强调，这里是电感最大电流而不是电源平均电流，这里几乎相差了一倍。以2X6W功放ft2925为例，在VBAT=3.7V时电源平均电流不到4A，而电感上的最大电流在7A左右，所以选择电感时尽量选择饱和电流在7A左右的。单通道1X7W的ft2910，电感上的最大电流在3.6A左右。
线圈的总损耗除了RDC，还包括与频率相关的损耗分量，磁芯材料（磁滞损耗，涡流损耗），趋肤效应造成导体中的损耗（高频电流位移），相邻绕组的磁场损耗以及辐射损耗。所有损耗构成串联损耗电阻RS。它用于定义电感器的品质。电感线圈电抗XL与RS之比称为品质因素Q。Q越大，损耗越小，效率越高。
输出电容的选择
输出电容器的有效串联电阻和电感器值会直接影响输出纹波电压。利用电感器纹波电流和输出电容器的ESR可以估算输出电压纹，如下公式。除了考虑纹波外，就是环路的稳定性。内部补偿环路做的好，外围不需要太大的电容，电容太大会影响瞬态响应，例如很多DCDC或者集成DCDC的功放规格书上要求客户除了10uF或者22uF陶瓷外，还要加470uF以上的电解电容，目的有两个，一是需要大电容稳定环路，二是减小纹波，三是芯片内部电流能力如果不够，需要470uF大电容提供瞬间电流。大电容增加体积，另外影响了瞬态响应。大功率下TI/MPS/方泰等IC厂家一般建议100~220uF，当然靠近VOUT管脚放1uF和22uF还是必要的。
整流二极管的选择
首先二极管反向额定电压和额定电流要够，另外正向导通电压必须很低，否则二极管导通时有很大的损耗，降低DCDC的效率，特别是对便携式产品电源设计要求就会加高。
此外芯片内部MOSFET开关频率高，二极管导通到非导通速度要很快，越快效率越高。
目前一些芯片是同步的，同步整流是专用功率MOSFET取代二极管，同步能大大提高效率。用功率MOSFET整流时，要求栅极电压必须与被整流电压相位同步才能完成整流，所以叫同步整流。如果考虑温升影响，同步升压外面还是可以额外增加肖特基，以便在温度上升时外部肖特基二极管分担部分电流，提高效率，例如2X6W音频功放ft2925是同步整流，但参考电路上还是增加了一个肖特基。对于异步的DCDC，可以用两颗肖特基并联，以减小直流阻抗，与选电感同一个道理，低阻抗的二极管能提高效率。
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