功率放大电路如何设计，用MOS管做功放的优缺点分析
一、什么是功放
功率放大器简称功放，一般特指音响系统中一种最基本的设备，俗称“扩音机”，它的任务是把来自信号源（专业音响系统中则是来自调音台）的微弱电信号进行放大以驱动扬声器发出声音。 还可以指其他进行功率放大的设备。
功放的作用就是把来自音源或前级放大器的弱信号放大，推动音箱放声。一套良好的音响系统功放的作用功不可没。
功放，是各类音响器材中最大的一个家族，其作用主要是将音源器材输入的较微弱信号进行放大后，产生足够大的电流去推动扬声器进行声音的重放。 由于考虑功率、阻抗、失真、动态以及不同的使用范围和控制调节功能，不同的功放在内部的信号处理、线路设计和生产工艺上也各不相同。
二、MOS管做功放的优缺点分析
1、MOS管做功放的优点
①MOS 管功放具有鼓励功率小，输出功率大，输出漏极电流具有负温度系数，平安牢靠，且有工作频率高，偏置简单等优点。以运放的输出作为OCL 的输入，到达抑止零点漂移的效果。
②中音厚，没有三极管那么大的交越失真。
电流推进级通常由一至二级组成，为了降低输出阻抗、增加阻尼系数，常采用二级电流推进。为了防止电流推进级产生开关失真，较好的作法是、采用MOS管并增大本级的静态电流，这样本级不会产生开关失真，由于任何状况下电流推进级一直处于放大区，所以电流输出级也一直处于放大区，因而输出级同样不会产生开关失真和交越失真。
③MOS管的线性比晶体管好。
2、MOS管做功放的缺点
①低频的温和度比晶体管功放差，MOSFET开关场效应管容易被输出和输入过载损坏,MOSFET场效应晶体管既具有晶体管的根本优点。但运用不久发现这种功放的牢靠性不高（无法外电路维护），开关速度进步得不多和最大输出功率仅为150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技术有了很大打破，呈现了一种高速MOSFET大功率开关场效应晶体管。
西班牙艺格公司（ECLER）经多年研讨，攻克了非毁坏性维护系统的SPM专利技术，推出了集电子管功放和晶体管功放两者优点分离的第3代功放产品，在欧洲市场上取得了认可，并逐渐在世界上得到了应用。第3代MOSFET功放的中频和高频音质接近电子管功放，但低频的温和度比晶体管功放差一些，此外MOSFET开关场效应管容易被输出和输入过载损坏。
②开启电压太高。
③偏流开很大，还是有一定的交越失真,没交越失真，差不多能够赶上三极管的甲类输出功耗。
④MOS管不好配对在同一批次管，相对来说要好配对一点。
⑤MOS管的低频下太硬,用MOS功放听出所谓电子管音色有一个简单方法，把普通三极管功放里的电压推进三极管换成JFET，JFET才真正具有电子管音色。
三、功率放大电路的设计
功率放大电路往往要求其驱动负载的能力较强，从能量控制和转换的角度来看，功率放大电路与其它放大电路在本质上没有根本的区别，只是功放既不是单纯追求输出高电压，也不是单纯追求输出大电流，而是追求在电源电压确定的情况下，输出尽可能大的功率。
本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如下图所示。
此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。特征频率fT放大电路上限频率fH的关系为：fT≈fhβh，系统阶跃相应的上升时间tr与放大电路上限频率的关系为：trfh=0.35。
对于OCL放大器来说，一般有：PTM≈0.2POM，其中PIM为单管的最大管耗，POM为最大不失真输出管耗。根据计算，并考虑到项目要求，本设计选用IRF950和IRF50来实现功率放大。
来源：网络整理
常用半导体中英对照表2（建议收藏）
微电子辞典大集合
整理了一些常用的半导体术语的中英文对照表，希望对大家有所帮助。如有出错之处，请不吝指正，感谢！
（按首字母顺序排序）
A
Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活
Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放 扩音器 放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器
Angstrom 埃
Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Arsenic (AS) 砷Auger 俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发
B
Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻
Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度
Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制
Basis vector 基矢Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构
Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器
Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场
Bulk 体/体内
Bulk absorption 体吸收
Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区
C
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体
Conductance 电导Conduction band (edge) 导带(底)Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态
Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Contamination 治污Continuity equation 连续性方程
Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统
Couping 耦合Covalent 共阶的Crossover 跨交Critical 临界的Crossunder 穿交Crucible坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
Current density 电流密度Curvature 曲率Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）
D
Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移
Dislocation 位错
Domain 畴 Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.
Drift 漂移
Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装
Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗
E
Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effective mass 有效质量Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器
Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光
Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体
Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试
Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOS Entefic (低)共溶的Environmental test 环境测试
Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延Equivalent curcuit 等效电路
Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器Error function complement 余误差函数
Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体
F
Face - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布
Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程（扩散）Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带
Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-flop toggle 触发器翻转
Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置
Forward blocking /conducting正向阻断/导通
Frequency deviation noise频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数
G
Gain 增益
Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾Gamy ray r 射线Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss（ian） 高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合
Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道
Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Grown junction 生长结Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型Gunn - effect 狄氏效应
H
Hardened device 辐射加固器件
Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻 空穴带
Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体
High field property 高场特性High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器
Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成
I
Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子
Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）
In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物Induced channel 感应沟道
Infrared 红外的Injection 注入Input offset voltage 输入失调电压Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET
Integrated injection logic集成注入逻辑
Integration 集成、积分Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构
Interface 界面Interference 干涉International system of unions国际单位制
Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作
Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性
J
Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁
L
Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变
Leakage current （泄）漏电流Level shifting 电平移动Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术
Lithography 光刻Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的Logic swing 逻辑摆幅Lorentz 洛沦兹Lumped model 集总模型
M
Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law质量守恒定律Master-slave D flip-flop主从D触发器
Matching 匹配Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction梳状发射极结Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间
Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FETMetallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Millen indices 密勒指数Minority carrier 少数载流子
Misfit 失配Mismatching 失配Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal分子晶体Monolithic IC 单片IC
MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管
Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module(MCM) 多芯片模块Multiplication coefficient倍增因子
N
Naked chip 未封装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 负温度系数Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡Nonrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析
O
Occupied band 满带Officienay 功率Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP)运算放大器
Optical photon =photon 光子Optical quenching光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator光耦合隔离器Organic semiconductor有机半导体Orientation 晶向、定向
Outline 外形Out-of-contact mask非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护
Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化
P
Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Passination 钝化Passive component 无源元件
Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路
Period 周期Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导
Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂
Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管
Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor聚合物半导体
Poly-silicon 多晶硅Potential (电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴Print-circuit board(PCB) 印制电路板
Probability 几率Probe 探针Process 工艺Propagation delay 传输延时Pseudopotential method 膺势发
Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制
Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制
Punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级
Q
Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level准费米能级Quartz 石英
R
Radiation conductivity 辐射电导率
Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination辐照复合
Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源
Read diode 里德二极管Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Reference 基准点 基准 参考点Refractive index 折射率
Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制 调整Relaxation lifetime 驰豫时间
Reliability 可靠性Resonance 谐振Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）
Relaxation 驰豫Resonant frequency共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置
S
Spin 自旋 Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance扩展电阻Sputter 溅射
Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间
Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格Supply 电源
Surface 表面Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关
T
Tailing 扩展Terminal 终端Tensor 张量 Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻
Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film technique 厚膜技术Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体
Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数
Transient 瞬态的Transistor aging(stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间
Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transport 输运 Transverse 横向的Trap 陷阱 Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Triangle generator 三角波发生器
Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发Trim 调配 调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差Tunnel(ing) 隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间
U
Ultraviolet 紫外的
Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity-gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch单向开关
V
Vacancy 空位
Vacuum 真空Valence(value) band 价带
Value band edge 价带顶Valence bond 价键
Vapour phase 汽相Varactor 变容管
Varistor 变阻器Vibration 振动
Voltage 电压
W
Wafer 晶片Wave equation 波动方程Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件
Y
Yield 成品率
Z
Zener breakdown 齐纳击穿
Zone melting 区熔法
#半导体##硬件工程师#@创作者小助手@头条号
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