E拆解：有着高性价比的千元机，成本控制方式如出一辙？

Realme一直秉持着“敢越级”， Realme Q3也是一款有着高性价的千元级手机了。189g的机身重量以及8.8mm的厚度，搭配高通骁龙750G，8nm工艺的处理器。还用了4880mAh（额定容量）大容量电池。

那一连看了两款三星的平价手机之后，今天我们就来看看这款高性价比的Realme Q3的拆解吧。

拆解步骤

首先关机取出卡托，卡托可以同时容纳2张SIM卡以及一张SD卡。

Q3采用塑料后盖，一般后盖所用胶的粘性并不强。所以通过热风枪稍微加热后，用撬片打开，后盖中间正对电池位置处使用大面积泡棉用于缓冲。

后端盖、后置摄像头盖和扬声器模块都通过螺丝固定，摄像头盖的螺丝上贴有防拆标签。闪光灯软板通过胶固定在后端盖上。

后端盖为PC材质，后端盖上共集成了DIV1、DIV2、mimo、Main1和Main2五根FPC天线。

电池通过易拉胶纸固定，电源键软板和音量键软板部分排线压在电池下面。

主板、副板、指纹识别软板和前后摄像头模块都可以一起取下。主板屏蔽罩上都贴有散热铜箔，铜箔内外均涂有导热硅脂。

耳机孔和USB Type-C接口上都套有黑色防尘胶套。时下的旗舰机，几乎都不保留耳机孔了，反而是这些千元机，依然留有耳机孔。

听筒、振动器、电源键软板、音量键软板、主副板连接软板和扬声器转接软板均通过胶固定在内支撑上。

最后通过加热台分离屏幕和内支撑，然后再取下液冷铜管位于屏幕与内支撑之间，还有大面积石墨片用于固定以及加强散热。

主板ic信息

主板正面主要IC（下图）:

1：Qualcomm-SM7225-高通骁龙750G处理器

2：Sk Hynix-H9HQ15AECMBDAR-KEM- 6GB内存+128GB闪存

3：Qualcomm-电源管理芯片

4：Qualcomm- WiFi/BT芯片

5：Qualcomm- -音频解码芯片

6：Silicon Integrated-音频放大器

7：STMicroelectronics-陀螺仪+加速度计

8：MEMSIC-电子罗盘

主板背面主要IC（下图）:

1：Qualcomm-电源管理芯片

2：Qualcomm-射频收发芯片

3：VANCHIP-功率放大器

4：Qualcomm-功率放大器

5：Goertek-麦克风

Realme Q3中采用3颗唯捷创芯的功率放大器芯片，其中2颗型号为VC7643，另一颗为VC7916-65。

内部的一颗音频功放芯片也来自国产厂商，武汉聚芯微，型号SIA8109。

总结信息

整机设计简单，共采用19颗螺丝固定。散热方面整机内部通过石墨片+导热硅脂+铜箔+液冷铜管的方式进行散热。

塑料后端盖集成FPC天线，再加上塑料后盖，以及选用的是TFT显示屏，这几个模块的选择都有效降低了整机成本。而FPC天线似乎也是时下控制整机成本的一个有效手段。

从内部芯片方案来看，虽然使用的是高通骁龙750G处理器，但是还使用了唯捷创芯、聚芯微，以及艾为电子、歌尔等国产厂商的芯片。明显可以发现，时下的5G手机内的国产芯片比例在逐渐上升。（编：Judy）

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NS4160纳芯威(NSIWAY) 5W单声道音频功放芯片介绍

NS4160概要

纳芯威（NSIWAY）NS4160是一款带AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器、5W单声道音频功放。通过一个控制管脚使芯片在AB类或者D类工作模式之间切换，以匹配不同的应用环境。即使工作在D类模式，NS4160采用先进的技术，在全带宽范围内极大地降低了EMI干扰，最大限度地减少对其他部件的影响。NS4160无需滤波器的PWM调制结构及反馈电阻内置方式减少了外部元件、PCB面积和系统成本。NS4160内置过流保护、过热保护及欠压保护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。并且利用扩频技术充分优化全新电路设计，高达90%的效率更加适合便携式音频产品。

NS4160提供eSOP8封装，额定的工作温度范围为-40℃至85℃。

主要特性

AB类/D类工作模式切换功能

AB类/D类工作模式和低功耗关断模式通过一线脉冲控制，节省主控GPIO

5W输出功率

0.1%THD（1W输出功率、5V电源）

优异的全带宽EMI抑制能力

优异的“上电，掉电”噪声抑制

高达90%以上的效率(D类工作模式)

工作电压范围：3.0V～5.5V

过流保护、过热保护、欠压保护

eSOP8封装

应用领域

手提电脑

台式电脑

低压音响系统

典型应用电路

图1NS4160典型应用电路

极限参数

注：在极限值之外或任何其他条件下，芯片的工作性能不予保证。

芯片基本结构描述

NS4160是单声道带AB类，D类工作模式切换功能的音频功率放大器。芯片内部集成了反馈电阻，放大器的增益可以在外围通过输入电阻设置。其原理框图如下：

纳芯威常用音频芯片

纳芯威NS8258内置BOOST升压,防失真、3WX2、

纳芯威NS8002单声道、AB类音频功放

纳芯威NS4890B单声道、AB类音频功放

纳芯威NS4871单声道、AB类音频功放、底部散热

纳芯威NS4830电荷泵升压、转换效率高、AB/D类切换

纳芯威NS4820双电荷泵升压、防失真

纳芯威NS4818AGC、内置电荷泵升压、抗干扰

纳芯威NS4816AGC、内置电荷泵升压、抗干扰

纳芯威NS4815内置电荷泵升压、抗干扰、NCN

纳芯威NS4814内置BOOST升压、防失真、无需滤波器、3.7V/11W单声道AB/D类双模音频功放

纳芯威NS4813内置BOOST升压、防失真、无需滤波器、3.7V/11W单声道AB/D类双模音频功放

纳芯威NS4752内置BOOST升压、防失真、无需滤波器、3.6V/5W单声道AB/D类双模音频功放

纳芯威NS4268DC音量控制、超低EMI、无需滤波器、3W双声道D类音频功放+立体声耳机功能

纳芯威NS4263AB类/D类切换、超低EMI、无需滤波器、蓝牙音箱、中小尺寸TV3W双声道音频功放+立体声耳机功能

纳芯威NS4258T低静噪、5W双声道、防破音、AB/D切换

纳芯威NS4258低静噪、3W双声道、防破音、AB/D切换

纳芯威NS4251AB类/D类切换、3D环绕立体声、3W双声道音频功放+耳机功能

纳芯威NS4250第二代超长续航、2X3W、智能音频功放+耳机功能

纳芯威NS4248超低EMI、无需滤波器、3W双

纳芯威NS4225耐压18V、大功率双声道功放、可PBTL桥接

纳芯威NS4216超低EMI、无滤波器、双声道

纳芯威NS42053W双声道D类音频功放

纳芯威NS4203超低EMI、无需滤波器、3W双声道D类音频功放

纳芯威NS4168I²S数字音频输入、外围简洁

纳芯威NS4165BAB/D类切换、5.3W单声道、5.5V耐压、扩音器、蓝牙音箱性价比高

纳芯威NS4160一线脉冲AB类/D类切换、超低EMI、无需滤波器、5W单声道音频功放

纳芯威NS4158B防失真、超低EMI、无需滤波器、

纳芯威NS4158防失真、超低EMI、无需滤波器、5W单声道音频功放

纳芯威NS4151S超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放

纳芯威NS4151M超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放

纳芯威NS4151D超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放

纳芯威NS4150C超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放

纳芯威NS4150B超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放

纳芯威NS4131单声道、AB类音频功放

纳芯威NS4120大功率40W单声道D类功放

纳芯威NS41117.4V双节锂电供电、9V/4欧/10W

纳芯威NS4110BAB/D类切换、18W单声道、小封装大功率

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