英国Audio Note Cobra眼镜蛇合并式胆机
老朋友都知道我平时不喝酒，但这并不影响我去认识酒文化、品尝酒韵味。国内最火热的白酒绝对是茅台，股票一度涨至三千多元，市值突破三万亿，多次登上A股市值榜首，与腾讯、阿里、台积电鼎足而立。嗜好杯中物的人则是另一种心情，明明定价一千多元的飞天茅台，有时候三千多元都未必能买到真货。
专家说好的酱香酒应该如是:
观： 晶亮透明，无悬浮物，无沉淀，微呈黄色；
闻： 酱香突出，幽雅细腻，低而不淡，浓而不艳，令人陶醉；
饮： 入口柔绵而醇厚，满口生香，丰满醇厚，香味细腻、柔顺、不刺喉；
饮后： 回味悠长，不上头、不口干、不伤身、空杯留香、幽雅持久、神清气爽等
Audio Note UK位于英格兰南部的西萨塞克斯郡，保留很多中世纪城堡，由于农业开发仅有残存的森林、低地和蜿蜒的道路，由于一半以上土地是农业保护区，非常适合远足、骑自行车以及艺术创作
音响发烧友听音乐时多半饮茶，头脑清醒才能明辨秋毫，美酒微醺固然畅快，但恐怕听什么器材都是一个味道。说了这么多酱香酒，无非是想表达这次听到的Audio Note Cobra眼镜蛇合并胆机，带给人那种上等陈年酱香酒的美好印象，多一分苦味太苦，少一分酱香味不足，一切都安排得刚刚好。经过数年的埋藏，酒体已经变得很浓厚，口感绵柔醇香、陈厚细腻，唇齿留香。另一方面，Cobra眼镜蛇合并胆机的亲民售价一改Audio Note高高在上形象，直接进入竞争最激烈的战场，它带给人讶异与期待，就像在茅台镇的众多小酒坊中，以低廉价格买到真正坤沙酱香散酒一样。当然，茅台的三大烧坊合并历程，也部分呼应了英国Audio Note与日本Kondo之间的关系。据说茅台酒厂年产量是5000吨，但市场一年销售的茅台飞天酒将近五万吨，其中存在许多奇怪现象。由于英国Audio Note广受发烧友追捧而定位又高高在上，于是也出现类似茅台酒的情况，为此代理商在广州海印广场成立中国首家Audio Note专卖店，只卖Audio Note的真品，所以我把酒与音响拿来一起讨论。
Audio Note老板Peter Qvortrup是个精明的生意人，却也是个执着的完美主义者
最早的日本Audio Note在1976年由近藤公康（Hiroyasu Kondo）创办，每声道一只211直热三极管的Ongaku合并机一推出就贵得震惊全球。英国的Audio Note/UK是Peter Qvortrup在创办的，在此之前Peter Qvortrup最早在英国创办了Audio Innovation，推出过一部声音非常好的S500( EL34甲类推挽)，至今仍有不少发烧友使用，其他业务包括销售发烧级电容，昂贵发烧元件等。Peter也在英国代理、推广销售近藤公康的Audio Note胆机，由于Peter的长袖善舞，号称世界最贵的Ongaku居然全球都有不错销售成绩。Peter发现原来只要产品够好，富豪们是不在乎钱的，所以1991年干脆在英国注册成立Audio Note品牌以更好扩展生意。后来的结局大家都知道了，双方对簿公堂后Peter获胜，近藤公康只能在日本继续使用原有品牌，最后更被迫改名Kondo，双方合作关系正式终止。
工厂的大门低调得甚至有点寒酸
这两家公司由两个性格截然不同的人主持。Peter Qvortrup自立后反而快速成长，光是发烧零件的生意就应接不暇，譬如日本Rubicon的经典产品Blackgate电容停产前全数被他购入，之后又向Rubicon订购Kaisei(快晴)电容，之后英国Audio Note就用这些世上最好的电容扬名立万。Peter的商业奇才称号不是虚名，一部输出功率8瓦的直热式300B胆机Kit One，以低廉的价格与浓郁音乐感征服许多发烧友，几近裸露的外观也成为后来英国Audio Note不重视外观的传统。近藤公康的性格刚与Peter相反，不爱交际应酬只埋头苦干工作，他设计的胆机有很鲜明的风格与特性，音色华丽飘逸，高频魅力更胜于低频。2006年Kondo创业30周年，在美国CES音响展第三天，近藤公康在酒店中心脏病发，一代音响奇才就此离逝！接手的芦泽雅基(Asihizawa Masaki)为工程师出身，设计了不少新产品，带领Kondo继续前行。也就是说，现在日本的Kondo与英国Audio Note完全没关系，产品路线与声音风格也大异其趣了。
Peter的听音室就像图书馆，里面摆满了数千张黑胶唱片，散落一地的书籍与唱片标准发烧友的模样。使用的器材当然都是Audio Note的极品，落地音箱紧贴墙角摆放利用墙面增强低音。比较特别的是Peter并不喜欢坐在中间皇帝位听音乐，他的舒适皮椅几乎正对着右声道扬声器，较长的距离让立体声可以充分混合，Peter说把立体声变得像单声道，更容易让大脑咀嚼品味
顺便提一下，有位南非籍工程师Robert Koch最早是在Peter Qvortrup手下工作，后来受到近藤公康赏识，力邀他到日本加入Kondo。2008年Kondo换主人后他单飞创立了Robert Koda品牌，Robert是自己的名字，Koda（幸田）则是太太的名字。他推出的功放带着浓浓的日本风味，Takumi K-10与K-15前级在品牌字样下印上鲜明“匠”字，平添一股和式贵气。他的产品参数惊人，Takumi K-15前级信噪比可达到147dB以上（音量开到最大），失真率仅有0.00003%!Takumi K-160单声道后级香槟金的外壳、镀金饰条和红宝石，同样展现一丝不苟的日式精致美，底部也刻上大大的“匠心”二字。K-160提供甲类输出功率230瓦/4欧姆，5W输出时的失真度低至0.0009%，信噪比在100W/8欧姆输出时竟高达125.5dB!据说Robert Koda功放的听感也很震撼，强将底下无弱兵，在二家Audio Note都历练过的人果然与众不同。
虽然带着数字解码线路，当电子管点亮，Audio Note特有的韵味还是浓郁动人
Peter Qvortrup领导下的英国Audio Note，凭借一系列高大上单端胆机在发烧圈建立声誉，除了得准备厚厚一叠钞票让人兴叹外，声音表现几乎未曾让人失望过。除了最新的Cobra眼镜蛇合并胆机外，Audio Note还有阵容庞大的合并功放，连同最新的Cobra竟然有九款之多，如果加上那些签名版、银色签名版，有唱放或无唱放的差异，数量更是可观!其中最有名的应该是从头到尾使用纯银元件的Ongaku、半银半铜的Tomei、纯铜的Jinro，这三个型号仅仅元器件等级不同，线路大同小异。除此之外还有Soro(6L6推挽输出20瓦)、Oto(6005推挽输出9瓦)、I Zero( ECL82三极/五极甲乙类放大，输出8瓦)等几部合并胆机。每个型号可以按照客户要求，区分基础版(纯铜元件)、升级版(半铜半银)与顶配版(全银元件)，这么复杂的产品线恐怕一般人都很难记住。
电源部份除Audio Note绕制的变压器外，还有扼流圈滤波，以及独立的直流灯丝供电。双C型输出变压器则让Cobra有能力驱动不同音箱
最有意思的是已经生产二十多年的Meishu，以及改良版Meishu Tonmeister二部单端300B放大，输出8瓦的合并胆机。Meishu Tonmeister就是AN 211 合并功放的300B版本，两只双三极管透过变压器驱动功率管，一模一样的架构，但价格只有高端版Jinro的三分之一！这个版本的出现比较有趣，希腊裔俄罗斯指挥家Teodor Currentzis 与他创立的Musica Aeterna Ensemble古乐团，加入SONY唱片后录制的一系列莫札特音乐极受瞩目，他与录音师Damien Quintard都用Audio Note产品作为监听器材，包括Meishu合并功放。Audio Note设计总监Andy Grove认为在原有Meishu基础上，如果加上级间变压器推动效果会更好，录音师欣然同意，于是就出现了Meishu Tonmeister型号，Tonmeister是德文录音师之意。这部合并功放改为全搭棚制作，板子只拿来固定零件，电解电容全部改用快晴，甚至用上以往只会在Silver等级以上出现的钽质电阻，线路升级、制作升级、零件升级、诚意升级，当然价格也升级了。
除了三组模拟输入，Cobra眼镜蛇还有包括同轴、Tos光纤、USB等三组数字输入
新推出的Cobra眼镜蛇又是个大意外，首先是售价很良心，四万多元定价方便更多人迎娶回家。其次是Cobra提供每声道28瓦甲类输出功率、内置DAC解码电路、三组数码输入（同轴、USB-B、Toslink 光纤）、全功能遥控（音量调节、静音、输入选择），这么丰富的功能在Audio Note史上前所未见。但是官网上却低调得很，对Cobra的介绍仅有三言二语，一如对Meishu Tonmeister合并胆机的介绍只有一句话:“这个线路精彩的示范了优雅与简洁”，堪称最实在而贴切的广告词。优雅与简洁好像不难？是的，如果有音响厂商发了疯，愿意花25年的时间，坚持投入大笔资金自己开发电阻、银箔电容、线材、接插件、变压器、音量电位器、焊锡等发烧元件，应该是可以做到的!
内附解码器的合并功放并不新鲜，放在胆机上就比较少见，尤其是像Audio Note这种择善固执的公司更是一大突破，猜想Peter Qvortrup是希望吸引更多年轻的发烧友加入，所以才取了很时髦的名字:眼镜蛇。解码线路采用TDA1543，这是飞利浦在1991年推出的无超取样 ( NOS )16bit解码芯片，它甚至超过了一些烧友的年龄。和现代DAC相比，虽测试参数不占优势，但其迷人的中频和浓厚模拟味，和黑胶、电子管一样在某些人心中有不可磨灭的地位。虽然Cobra的同轴S/PDIF输入可对应24-bit/176.4kHz讯号；USB输入则为16-bit/48kHz，但因为解码芯片原生元位深度只有16bit，超出范围的将被调整。数字线路依然保持Audio Note一贯无超取样、无噪声整形、无抖动抑制或时钟讯号重整、无数字滤波(滤波工作在模拟电路中完成)的设计。Audio Note认为，把这些看似有用的电路都除掉后，频率响应、相位准确度、动态连贯与自然流畅感反而更好，售价过百万元的CDT Six/Force转盘+Fifth Element/Force解码器，设计思路如出一辙。我在广州Audio Note专卖店欣赏眼镜蛇合并功放时，负责人阿东说毕竟受限于成本，还是透过CD 4.1x播放机(使用Analogue Devices AD1865解码芯片，ECC88双三极管模拟放大，Audio Note特制电容耦合输出)的模拟输出声音会更好一些。Cobra的三组数字输入，方便年轻人以计算机、数播，甚至现在流行的蓝牙便携产品连接，但16bit会否成为一种限制?旗舰解码器使用的AD1865芯片也才18Bit，Peter Qvortrup却说声音赢过20bit甚至24bit芯片，我相信Audio Note的调声功力。
模拟部分，每声道两只EL34（俄制Electro-Harmonix）输出甲类功率28瓦（8Ω），搭配双C-core输出变压器，有着低磁饱和、深沉低频响应与强劲驱动力等优点。第一级放大使用五极管6AU6（全新旧库存美制GEJAN-6AU6WC），另外以双三极管5670（GEJAN-5670W）进行讯号分相，Audio Note所有的胆机，功率管都不会超过二只，维持最简单线路的设计。电源部份除Audio Note绕制的变压器外，还加上扼流圈、恒流功能的架构，并有独立的直流电供应真空管灯丝电压。背板最吸引人的自家当然是镀银接插件，它家有卖元器件的部门，纯银变压器售价超过十万元，看来Cobra眼镜蛇的构造与用料还算是很良心的。
试听过程换了二对音箱，一是同厂的AN-E大书架箱，一是英国Rogers的复刻LS 3/5A。说AN-E是大书架箱，因为它79公分的高度仍必须搭配脚架才能正常使用，而从售价几万元到超过百万人民币的不同版本，我们看到的外观几乎没有改变，当然音箱的木皮与工艺会更好，其他接线、纯银元件、纯银音圈等都在里面看不到。统计了一下，AN-E系列音箱总共有17款型号，主要差别在内部配线、分音器结构与灵敏度，假如这还不够眼花撩乱，没问题，Audio Note另外提供超过20种不同的木纹选购，保证发烧友能拥有最独特的Audio Note音箱。1英寸丝质软半球高音，外加8英寸高效率纸盆中低音单元，宽面板薄体设计来自多年前美国Snell创办人Peter Snell的经典设计。不过Audio Note并不是复刻Snell，箱体改用俄罗斯桦木，所有单元都是重新设计。分音器是最简单的一阶分音，全部手工搭棚，Audio Note很自豪的说AN-E音箱左右声道配对误差值小于0.4dB，检验之严格业界绝无仅有。
香港代理商认为，输出功率28瓦的Audio Note Cobra可能是BBC LS3/5a音箱最佳搭配之一，图中的Rogers LS3/5a是最新复刻版，在英国生产
Audio Note认为简单才是王道，AN-E音箱只需7瓦就能发出很好的声音，很适合同厂的单端胆机；低音反射式箱体可以塞在墙角，利用墙面扩大低频能量。用眼镜蛇胆机搭配有不错的传真度与情感表现，质感很细致，中频通清有透视感，靠墙时低频的能量与动态大增，却损失了音场的层次感与高频细节。负责人阿东说这个空间刚刚启用，他们也还在尝试中，下次再来详尽报导。于是我们用Cobra推动另一对价格门当户对，代理商也认为表现绝佳的复刻版Rogers LS3/5a音箱。这里看到的Rogers已经不是当年的Rogers，负责设计的Andy Whittle早于1985年已协助Goodmans推出LS3/5a，亦曾于Rogers工作，对这对经典音箱知之甚详。Andy Whittle也不是简单的复刻，他选用俄罗斯产桦木夹板制作箱体、Kraft Nomex高音单元音圈、加入传统耐用与一致性强的Bextrene材料低音音盆；单层厚铜箔的玻璃纤维印刷电路板、高电流的电容等，所有元件均以含银焊锡进行焊接，包括香蕉插式喇叭接线柱也镀上纯银。基本上就是新材料，旧蓝图，目的则是重现原汁原味的Rogers LS3/5a，阻抗为15欧姆。
Cobra合并功放只有一组8欧姆负载输出，面对15欧姆的复刻版Rogers LS3/5a会不会吃亏?听起来一点问题没有，播放RR唱片的爆棚管弦乐，开大音量仍然轻松过关，但这个听音房实在太大了，虽然声音能量可以充满，只是低频下段依然奉欠，动态也有局限。别忘了LS3/5a原本是放在空间狭小的广播车上使用，更适合近场监听，也就是说甚至可以距离1-2米来欣赏，细节表现将更丰富，中频更自然无染，低音也有足够的冲击力。不过一开声Audio Note的独特魅力还是掩藏不住，28瓦正是推动LS3/5a的黄金功率，既不会过于强悍让声音呆滞，也不会虚软不过瘾。你知道Audio Note有一部Paladin后级吗?6SL7驱动级、5R4整流管、RCA的45功率管(不是标配，需另外购买)，输出功率只有2瓦!显然除了高灵敏度的号角外，实在很难匹配音箱，但设计者Andy Grove说：它会失真没错，但在它破声之前，你会觉得它比2A3、甚至300B听起来更有劲!我的意思是，Audio Note透过独家设计的输出变压器，可以让8瓦听起来像20瓦，而Cobra听起来则有40瓦的力道。
位于广州海印广场三楼的Audio Note专卖店，为中国首家
至于声音有多大魅力?先卖个关子，由于Audio Note的产品太多了，我们已经订立计划陆续介绍一些有特色的器材，以后还会更详尽的说明。我只问发烧的读者们，你喝过真正的陈年茅台酒吗?据闻有位富豪花了一千多万，购买一整屋的飞天茅台，鉴定后发现全部是仿冒品。为什么一般人很难区分真假?简单的说，骗子卖的是假茅台酒，而不是假酒。就本质而言，它与昂贵的、一般人买不到的飞天茅台酒区别不大，尤其在化学家眼里，都是一定比例的酒精和水掺和在一起，外加一些微量酸、酯、醇、醛而形成的东西。而在这个世界上，绝大多数人都是“一般人”，面对在本质上无甚差别的水酒，难以区真假也就毫不奇怪。可能你在其他地方听过Audio Note，却不知道市场上的猫腻太多，Audio Note也有不少仿品，阿东说甚至有机箱与电路都是真的，输出变压器却被换掉了。究竟30陈年、50陈年的茅台什么滋味，很遗憾茅台酒厂不提供品尝，但是Audio Note现在有了专卖店，我们可以在这里亲耳体验从5万到500万的Audio Note产品。听过以后，你就会明白我说的剧毒魅力了。
——END——
4H-SiC MESFET特性对比及仿真
侯 斌，邢 鼎，张战国，臧继超，马 磊
(航天科技集团九院七七一研究所，陕西 西安710000)
通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后，引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EPCG，通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EPCG分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时的直流特性。结果表明，当EPCG为1/2栅时，最大饱和漏电流取得最大值，在VG=0 V、VDS=40 V的条件下达到了545 mA；当EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时，最大饱和漏电流均不如EPCG为1/2栅时取得的最大值。
仿真；4H-SiC MESFET；阶梯栅；坡形栅
TN386.2
文献标识码： A
10.16157/j.issn.0258-7998.2017.01.003
中文引用格式： 侯斌，邢鼎，张战国，等. 4H-SiC MESFET特性对比及仿真[J].电子技术应用，2017，43(1)：13-15，19.
英文引用格式： Hou Bin，Xing Ding，Zhang Zhanguo，et al. The characteristic comparison and simulation of 4H-SiC MESFET[J].Application of Electronic Technique，2017，43(1)：13-15，19.
0 引言
4H-SiC MESFET作为下一代大功率微波器件的首选，具有静态工作电压高、输出阻抗大、线性化程度理想、器件通用性好及设计成本低等优点[1，2]。传统的4H-SiC MESFET器件虽然在理论上具有很好的直流和射频特性，但在实际中，由于击穿电压和漏电流的提高，在一定程度上为相互制约的关系，导致功率密度达不到更高的要求。目前科学界通过改变4H-SiC MESFET结构的尺寸、形状等手段来提高4H-SiC MESFET器件的性能。而双凹栅结构4H-SiC MESFET和阶梯栅结构MESFET的提出，对栅结构的改变提供了良好的思路。对于阶梯栅4H-SiC MESFET的研究表明，当阶梯栅的数目越多时，器件的各项特性将越好[3]。所以阶梯的数目趋向于无穷时，阶梯的形状就被微分为一个斜坡。
1 阶梯栅和坡形栅4H-SiC MESFET的结构
图1为阶梯栅结构MESFET的剖面图，从图中可以看出，MESFET的栅部分由上栅和下栅两部分构成，上栅部分为长方形结构，栅长为LG；下栅部分为倒阶梯状结构，栅长为W，下栅通过刻蚀延伸到N型沟道区。
图2是将阶梯数目极限后所产生的结构，器件的结构由一个半绝缘的衬底、一个P型的缓冲层、一个N型沟道和高掺杂的n型覆盖层从下而上堆叠而成，堆叠层表面通过溅射金属引出栅(G)、源(S)、漏电极(D)。坡形栅MESFET结构的尺寸如下：栅长度LGU为0.7 μm，栅源间距LGS为0.5 μm，栅漏间距LGD为1.8 μm，下栅高度为0.06 μm，N型沟道厚度为0.25 μm。掺杂浓度为3×1017cm-3，P型缓冲层厚度为0.5 μm，掺杂浓度为1.4×1015cm-3，栅的肖特基接触金属为镍[4]。
2 器件的物理模型及参数
对于4H-SiC MESFET的研究，通常采用漂移-扩散模型、热力学方程模型和流体力学模型来描述[5]。本文对坡形栅MESFET及其他结构的仿真中，由于牵扯到高温，漂移扩散模型不可用，流体力学模型相对于热力学模型速度慢得多，所以采用热力学模型进行分析[6]。
热力学模型假设载流子和晶格相互热平衡，所以可以假定系统温度统一，电子和空穴的电流密度方程可以通过式(1)和式(2)表示：
本文的仿真软件采用ISE-TCAD，描述坡形栅MESFET器件的基本模型有能带变窄模型、迁移率模型、雪崩离化模型和复合模型等。
3 不同栅结构的4H-SiC MESFET物理特性对比及坡形栅结构的优化
3.1 双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET物理特性对比
在不同栅结构的4H-SiC MESFET器件中，具有代表性的有双凹栅MESFET和阶梯栅MESFET。双凹栅MESFET的结构剖面图如图3所示。
从图3中可以看出，双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的区别为下栅部分，双凹栅4H-SiC MESFET的下栅部分为具有长度为W的长方形栅，而阶梯栅的下栅部分为阶梯状的栅。
3.1.1 双凹栅和阶梯栅电流输出特性对比
在不同栅压下(VG=0 V、-3 V、-6 V、-9 V)，阶梯栅和双凹栅MESFET结构的直流输出I-V特性曲线如图4所示。
从图4中可以看出，在不同的栅压下，阶梯栅MESFET的饱和漏极输出电流大于双凹栅MESFET。这是因为对于4H-SiC MESFET，沟道区的等效电阻主要由耗尽区的大小决定，随着低栅部分阶梯数目的变化，耗尽区随之改变，提高阶梯数目使得沟道电阻减小，使漏电流得到提高。在栅压VG=0 V时，阶梯栅MESFET的饱和漏电流为391 mA/mm，比同条件下的双凹栅MESFET提高了5.9%。
3.1.2 双凹栅和阶梯栅的击穿电压对比
图5为双凹栅MESFET和阶梯MESFET的击穿电压曲线，从图中可以看出，阶梯栅MESFET的击穿电压为52 V，比双凹栅MESFET提高了4%。这是因为，要使得器件发生击穿，器件内部的电场则需要更高的电压。因此，阶梯栅MESFET的击穿电压大于双凹栅MESFET[7]。
3.1.3 最大输出功率对比分析
通过阶梯MESFET与双凹栅MESFET的饱和漏电流和击穿电压可以计算出两种结构的最大输出功率密度Pmax：
其中，Id是4H-SiC MESFE器件的饱和漏电流，VB是击穿电压，Vknee是膝点电压。
从式(3)可以看出，由于阶梯栅MESFET的击穿电压和饱和漏极电流均大于双凹栅MESFET，因此其最大输出功率密度也大于双凹栅MESFET，可见阶梯栅MESFET比双凹栅MESFET具有更加优秀的击穿特性和功率特性。
3.2 阶梯栅结构和坡形栅结构4H-SiC MESFET物理特性对比及优化
在图2中描述了坡形栅MESFET的结构，在此引入坡形栅MESFET的特征参数(EPCG)，即坡形栅的终点，定义上栅和下栅的交点为坡形栅的终点。图6中①、②、③、④分别代表了1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅的坡形栅MESFET。图7为坡形栅和阶梯栅MESFET漏电流-漏源电压对比图。
从图7中可以看出，在VDS较小，即器件工作在线性区时，坡形栅MESFET和阶梯栅MESFET的漏电流基本相同，但当VDS进一步增大，这几种结构就有了显著差异。对于坡形栅MESFET，由于EPCG的不同，导致器件沟道区内的耗尽层发生改变，使得最大饱和漏电流发生变化。当EPCG为1/2栅时，最大饱和漏电流取得最大值，在VG=0 V、VDS=40 V的条件下达到了545 mA。而EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时，最大饱和漏电流不如EPCG为1/2栅时，也就是说，当EPCG从全栅移动到3/4栅、1/2栅时，由于沟道层内的耗尽区不断减小，使得沟道不断展宽，导致最大饱和漏电流不断增大；而EPCG从1/2栅移动到1/4栅时，沟道耗尽区边界的电流集边效应将会越来越严重，这会使得沟道减小，导致最大饱和漏电流减小。因此，当EPCG为1/2栅时，坡形栅MESFET的漏电流达到最大值。
图8为EPCG分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时，坡形栅MESFET的击穿电压对比图。从图中可以看出，当EPCG为1/2栅时，坡形栅MESFET的击穿电压最大达到57.5 V；而当EPCG为3/4栅时，坡形栅MESFET的击穿电压最小，为48 V。这是因为，在EPCG为3/4栅和全栅时，由于栅结构下方的终点距离漏测较近，使得栅漏边缘形成了较大的电场，因此更易发生击穿。而EPCG为1/4栅和1/2栅时，漏测边缘更接近于常规4H SiC MESFET，因此击穿电压较高。
4 结论
本文对比了双凹栅结构和阶梯栅4H-SiC MESFET的电流电压直流特性。结果表明，阶梯栅4H-SiC MESFET具有更好的直流特性。通过对阶梯栅的极限化处理，引出了坡形栅的4H-SiC MESFET结构，以及坡形栅的4H-SiC MESFET的特征参数-坡形栅的终点(EPCG)。仿真结果表明，当EPCG为1/2栅，最大饱和漏电流取得最大值，在VG=0 V、VDS=40 V的条件下达到了545 mA；EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时，最大饱和漏电流均不如EPCG为1/2栅时取得的最大值。
参考文献
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[6] 任雪峰，杨银堂，贾护军.4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型[J].半导体技术，2008(2)：129-132.
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SPL:浙江宝狮电子有限公司旗下音箱品牌浙江宝狮电子有限公司创建于1996年,地处杭州、上海、江苏金三角中心,交通十分便捷。公司专业生产各类汽车功放、音箱...
dm2008音响如何接线
而且系统要安装windows2000server的,安装上sp4的补丁,还要安装上去sqlserver安上去sp3的补丁。这台机器做为...这台机器做为服务器。一个交换...
