干货一文带你搞懂BD140三极管，参数及引脚图+工作原理，秒懂

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今天给大家介绍的是：BD140三极管 ，主要是以下6个方面：

1、什么是BD140三极管？2、BD140参数及引脚图3、BD140三极管工作原理4、BD140详细参数5、BD140三极管用什么来代替6、BD140三极管应用电路

一、什么是BD140三极管？

BD140 是一种 PNP 外延平面晶体管。 专为使用互补或准互补电路的音频放大器和驱动器而设计。 NPN 互补器件是 BD139，该晶体管具有 -80V 的 VCE 和 -1.5A 的连续集电极电流。它可以用作小信号开关晶体管 。此外，它具有-5V的低基极电压。

二、BD140参数及引脚图

BD140参数及引脚图

三、BD140三极管工作原理

晶体管是电流控制设备，因此需要一点电流才能打开它们。对于BD140三极管，这个基极电流小于10mA，因为BD140是PNP三极管，基极接地时导通，基极加正电压时截止晶体管。

下面的模拟电路显示了当基本电路的基极接地以及连接到 12V 电源时该晶体管的行为。

当我们通过将基极接地来打开晶体管时，晶体管将保持打开状态，除非晶体管基极处的电压超过基极关断电压，对于该晶体管，它介于 0.7 -0.9V 之间. 晶体管的基极不能悬空，否则可能会出现误触发，从而导致电路出现问题。为了解决这个问题，我们需要添加上拉电阻，如示例所示，一个 10K 的电阻用于将三极管的基极上拉至 VCC。

四、BD140详细参数

双极 PNP 晶体管连续集电极电流 (IC) 为 -1.5A集电极-发射极电压 (VCE) 为 - 80 V集电极-基极电压 (VCB) 为 - 80V基极电流 (Ib) 为 -0.5A直流电流增益 (hfe) 为 40 至 160提供 To-225 和 SOT-32 封装集电极耗散：12.5 W封装类型： TO-126 最大集电极电流（IC）： -1.5A 最大发射极-基极电压 (VEBO)：– 5V 最大过渡频率 (fT)： 190 MHz 最小和最大直流电流增益 (h FE )： 25 – 250 最高存储和工作温度应为： -55 至 +150 摄氏度

五、BD140三极管用什么来代替？

1、BD140 的替代品和等效产品

可以将 BD140 替换为 BD140G、BD170、BD180、BD231、BD790、BD792、BD238G、BD792、MJE171、MJE702

2、NPN 补充

BD140 的 NPN 互补是 BD139

3、SMD等效

晶体管 BD140 的 SMD 版本可用作 BCP53 。

为了让你对每个晶体管电气特性更为了解，在下表中，比较了，BD140和BD139 ，这两个晶体管是互补对，然后是BD136和MJE702 ，这两个晶体管的大部分电气规则与BD140相思。

BD140和BD139

六、BD140三极管应用电路

1、BD140和BD139功放电路

如图所示为使用BD140和BD139晶体管 的功放电路 ，该运放电路由一对推挽晶体管 组成，在前置放大器电路中使用BD139晶体管，然后是2个用于反向电流保护的二极管。

当音频信号到达电路时，前置放大器首先放大并传递到推挽对。互补晶体管放大音频信号并产生放大的音频信号 。

、BD140和BD139功放电路

2、BD140开关电路

BD140晶体管用作开关 ，电流从基极流出。PNP晶体管的基极端相对于发射极负偏置。

在这方面，负载连接到具有参考点的晶体管开关输出端。当晶体管被激活时，电流从源极流向晶体管，然后流向负载，最后流向地面。

BD140开关电路

3、BD140和BD139放大电路

BD140和BD139放大电路

电路原理图中显示了一个具有最小谐波失真和宽频率响应的 2 瓦 AB 类音频功率放大器。 能够以 5 W的输出功率驱动 8Ω 扬声器，该电路中的电源电压介于 12V 和 18V 之间。电位通过该 470Ω 电路中的 BD139 和 BD140 互补晶体管调节静态通道。 该电阻值的变化代表输出晶体管 Q3 和 Q4 上的最小失真和低电流之间的权衡。因为这个放大器是直流偏置的，所以 BD139 和 BD1340 的发射极被设置为电源电压的大约一半，以允许最大输出摆幅。该电路中额外的 R9 和 R10 电阻提供了温度稳定性。

4、 BD139 和 BD140构建的电机驱动电路

电机驱动器项目 由两对 BD140 和 BD139 晶体管（也称为 h 桥网络）和两个 BC547 晶体管组成，用于控制从 Arduino 板到 h 桥的输入信号。

BD139 和 BD140构建的电机驱动电路

此应用程序是用于电机驱动电路的 H 桥电路。 当我们需要驱动直流电机时，我们需要给电机很大的功率，单片机无法单独完成，因此我们需要在控制器和电机之间连接一个晶体管电路 ，起到放大器的作用，帮助电机运行平稳。

H桥电路提供足够的功率来平稳地驱动两个直流电机，并且还可以调整电机的旋转方向。 使用BD139/140或任何其他功率晶体管时要记住的一件事是功率晶体管会产生大量的功率，这些功率也会以热量的形式产生，因此为了防止过热，我们必须加散热片对于这些晶体管，已经在晶体管上提供了一个孔。

5、其他应用

音频放大器1.5A 以下的开关负载电池充电器电源电机驱动器达林顿对

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智能驾驶时代，专家、企业高管共话车用半导体创新进展

汽车是半导体的重要应用领域，汽车级半导体要求高于工业级和消费级半导体。汽车半导体除了汽车行业通用的规范外，还有更严苛的车规级认证标准。汽车半导体具有技术壁垒高与需求旺盛的特点。汽车电动化、网联化、智能化发展趋势中，电动化最受益的是功率器件，尤其是IGBT。智能化的快速发展，自动驾驶、智能座舱等对汽车感知器件、运算能力、数据量需求日益提升，汽车控制芯片、存储芯片等成长空间广阔。

近日，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于苏州胜利召开。期间，“第二届车用半导体创新合作峰会”如期召开。

车用半导体创新合作峰会关注智能驾驶时代下第三代半导体材料的技术进步给电动车电驱电控系统和电源系统带来的新的技术进展，以及其他汽车半导体共性问题，力求联动上下游资源，为汽车半导体产业链和供应链提供生态机遇。该论坛得到英诺赛科、北京一径科技有限公司、上海瞻芯电子科技有限公司、深圳市先进连接科技有限公司、宁波升谱光电股份有限公司等单位的协办支持。并特邀国家电网全球能源互联网研究院原院长、厦门大学讲座教授邱宇峰教授和复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任张清纯教授联袂主持。

国家电网全球能源互联网研究院原院长、厦门大学讲座教授邱宇峰主持论坛

复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任张清纯教授主持论坛

论坛现场

会上，国家新能源汽车技术创新中心总师刘朝辉、北京一径科技有限公司副总裁邵嘉平、甬江实验室研究员王文博、深圳市先进连接科技有限公司总经理吴昊、南瑞联研半导体有限责任公司产品研发中心碳化硅技术总监田亮，中科芯集成电路有限公司MCU事业部副总经理傅建军，英诺赛科产品应用主任工程师孟无忌，中汽创智科技有限公司硬件系统开发部-芯片开发郭小川，清纯半导体研发经理史文华，星宇研究院功率器件工程师李玉清等精英专家们先后带来了精彩主题报告，分享前沿研究成果。

国家新能源汽车技术创新中心总师刘朝辉

首先，国家新能源汽车技术创新中心总师刘朝辉做了题为“基于SiC功率芯片的高功率密度电驱系统”的主题报告。

北京一径科技有限公司副总裁邵嘉平

北京一径科技有限公司副总裁邵嘉平介绍了ZVISION MEMS激光雷达的相关研究进展，包括独特的垂直ROI，超长感知范围，全水平FOV-ROI等。

上海瞻芯电子科技有限公司市场经理林其锋

上海瞻芯电子科技有限公司市场经理林其锋做了题为“车规级SiC功率器件及驱动IC的研发和应用”的主题报告，介绍了单管及模块驱动IC的开发，碳化硅模块和专用驱动优化系统设计，碳化硅在预充电路上的应用、多管并联及多管芯并联的參数筛选等实践成果，涉及电驱驱动IC的开发，高密车载电动压缩机和OBC应用，多管并联动态均流驱动和參数筛选等。报告指出，瞻芯电子已稳步迈向IDM，专注碳化硅及配套驱动IC开发，确立单管并联和多管芯并联的筛选标准，努力提供车载变换器一站式解决方案。

甬江实验室研究员王文博

氮化镓材料特性优异，器件在消费电子、数据中心等应用领域已开始渗透。甬江实验室研究员王文博做了题为“异质集成氮化镓功率模块（制造工艺）研究”的主题报告，分享了集成GaN(电源)模块和异质集成GaN(电源)模块的研究成果，报告指出氮化镓功率器件在被正确使用的条件下，可以实现高频（MHz）、低损耗；氮化镓应用需要根据器件特点和应用场景定制化设计有源和无源功率模块；异质集成氮化镓模块需要开发适配的制造工艺。

深圳市先进连接科技有限公司总经理吴昊

相比于其他的金属材料，银具有更高的导热性和低电阻率，且因其较高的强度硬度和较低的弹性模量，会具备更好的机械性能和应用可靠性。深圳市先进连接科技有限公司总经理吴昊做了题为“功率半导体国产银烧结整体解决方案”的主题报告，分享了烧结银的特性、烧结焊点的可靠性、材料性能、DTC工艺、AS系列烧结机及应用案例，报告指出，未来银烧结新工艺，涉及双面烧结，clip，引线框架。烧结铜膏方面，有降低成本的需求，可靠性问题方面，缺少有效分析模型。

南瑞联研半导体有限责任公司产品研发中心碳化硅技术总监田亮

电动汽车产业是先进制造业+战略性新兴产业的重要组成部分，充电桩不只是独立、物理的存在，背后涉及5G、大数据、工业互联网等“新基建”领域，智能充电网也是智慧城市的组成部分，云端平台的建设运维、大数据的分析管理至关重要。南瑞联研半导体有限责任公司产品研发中心碳化硅技术总监田亮做了题为“碳化硅技术在充电桩及电网中的应用”的主题报告，介绍了碳化硅器件在充电桩中的应用，碳化硅在电网中的应用。报告指出，规模化运营，车桩互补良性发展。

英诺赛科产品应用主任工程师孟无忌

GaN功率器件在智能汽车中的应用涉及双向DC/DC、自动驾驶核心电源、PD快充、车载充电器(OBC)、激光雷达、LED驱动、音响Class-D功放、能量管理系统（BMS）、电机驱动等环节。英诺赛科产品应用主任工程师孟无忌做了题为“GaN在新能源汽车的探索与实践”的主题报告，介绍了相关的实践成果与方案，报告指出，自动驾驶使处理器供电需求增大，GaN使高性能自动驾驶激光雷达成为可能。

中科芯集成电路有限公司MCU事业部副总经理傅建军

电动化、网联化、智能化、共享化已进入全新发展阶段，正在引领汽车产业变革，提升车辆智能化水平是我国自主汽车品牌提升产品力和竞争力的关键，新基建推动智能汽车电子产品应用推广。中科芯集成电路有限公司MCU事业部副总经理傅建军做了题为“国产IGBT芯片，助推新能源汽车高质量发展”的主题报告，分享了汽车电子产业基础以及相关产业布局。

中汽创智科技有限公司硬件系统开发部-芯片开发郭小川

中汽创智科技有限公司硬件系统开发部-芯片开发郭小川做了题为”碳化硅功率模块设计优化的多物理模拟“的主题报告，介绍了功率模块多物理场的设计目标、电源模块电子模型、功率模块热机械模型、功率模块热模型、功率模块模具流动分析、综合多物理仿真平台等研究进展与成果。

清纯半导体研发经理史文华

SiC器件具有很多优势，比如功耗降低 60%~80%, 效率提升 1%~3%, 续航提升约 10%。在多项工况测试下, SiC MOSFET相比 Si-IGBT 在功耗和效率上优势显著。清纯半导体研发经理史文华做了题为“AECQ-101车规级认证的高性能1200V SiC MOS器件”的主题报告，介绍了车规认证标准及体系以及1200V SiC MOS AECQ-101车规平台，报告指出，新能源汽车市场将带动碳化硅器件的不断发展；车规级的认证标准及体系，对碳化硅器件提出更高的要求。

星宇研究院功率器件工程师李玉清

星宇研究院功率器件工程师李玉清做了题为”车载微芯片（MCU）应用失效案例分析研究“的主题报告，报告建议，在电路设计中，可以增加电容或其他保护装置，以提高静电敏感能力静电放电电路，另一方面，当涉及到电子器件的制造时，除了ESD的形成之外保护措施和要求，公司应组建ESD优化团队，由所有人参与部门成员，对组件和PCBA进行分级保护，定期审查，优化和改进应持续不断地努力减少静电对产品的影响。在这种情况下，故障过程中有许多地方需要改进，特别是对于不同的静电模型和不同静电模型对芯片的影响以及实验产品的老化试验可以进一步研究和讨论静电损伤。（备注：以上信息未请报告嘉宾逐一确认，如有出入敬请谅解！）

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