Belaves百灵鸟通信手机i551拆解，智能手机时代的功能机配置解析
智能手机的发展，丰富的App应用，使的老式的功能手机逐渐被取代。但如仅需要通信和基础功能的老人、学生，以及需要手机结实耐用的部分务工人员和需要长续航的场景，功能机还在发挥着他的作用。近期，我爱音频网在公司内找到了一款百灵鸟通信手机i551，此次将通过拆解，带大家看看当下功能机的内部结构配置~
一、Belaves百灵鸟通信手机i551开箱
Belaves百灵鸟通信手机i551包装盒顶部图文介绍了产品特点：双卡功能、待机功能、蓝牙功能、MP3/MP4功能、上网功能、大电池。
包装盒正面设计有品牌LOGO和“良心品质、匠心铸造”的品牌Slogan。
包装盒侧边介绍了公司信息，制造商：深圳市韩泰印刷包装有限公司，深圳市百灵鸟通信有限公司 监制。
另外一侧贴有出厂标签，型号：i551，颜色：粉色。
包装盒内部物品有手机、电源适配器和用户手册。
电源适配器，采用了双脚插头转Micro USB插头。
电源适配器型号：JHXY128，输入:100~240V-50~60Hz 0.10A，输出：5V-1000mA，深圳市嘉和兴业科技有限公司制造。
百灵鸟通信手机i551正面外观一览，粉色配色搭配银色边框，T9键盘。
屏幕上方的听筒特写，金属网罩防护。
机身背面外观一览，采用了曲面设计，提升握持舒适性；上方设置有扬声器出音孔，以及一颗位置别致的摄像头。
扬声器出音孔特写，中间设计有音符，外圈银色金属环装饰，内部设置网罩防护。
手机摄像头特写，用于拍照、录像功能。
机身顶部设置手电筒的LED灯。
机身底部设置Micro USB充电接口和麦克风拾音孔。
机身侧边设置有手电筒快捷开关，右侧凹槽，便于用户开启后盖更换电池。
经我爱音频网实测，Belaves百灵鸟通信手机i551重量仅约为122.9g，相较于目前的智能手机而言，非常的轻巧。
二、Belaves百灵鸟通信手机i551拆解
进入拆解部分，取掉手机背盖。
背部盖板内侧结构一览，同样雕刻有音符图案。
手机内侧结构一览，可更换电池设计，避免外出续航焦虑。
取出手机电池。
电池下方设置有双SIM卡槽和TF存储卡卡槽。
手机内置电池型号：i551，容量：2800mAh 10.36Wh，充电限制电压：4.2V，TYPE：百灵鸟品牌标准电池，深圳市然然电子有限公司制造。
电池通过三点触点连接手机主板。
卸掉螺丝，打开腔体。
面板内侧结构一览，银色金属中框，一体式按键缓冲垫。
腔体内部结构一览。
取出手机内部所有组件。
腔体底部结构一览，下方还设置有天线。
手机屏幕正面特写。
手机屏幕背面特写。
主板一侧电路一览，设置功能按键，屏幕排线与主板焊接。
主板另外一侧电路一览，主要IC通过屏蔽罩防护，扬声器、麦克风、LED灯导线与主板焊接连接。
Micro USB充电母座特写。
连接电池的金属弹片特写。
丝印BAG的IC。
丝印P20A的TVS管，用于输入过压保护。
手电筒快捷开关特写。
TF存储卡卡槽特写。
SIM卡1卡槽特写。
SIM卡2卡槽特写。
取掉屏蔽罩，下方电路一览。
MTK联发科MT6261D单芯片解决方案，基于低功耗CMOS工艺，内置32位ARM7EJ-S TM RISC处理器，集成电源管理单元、模拟基带和无线电电路，支持GSM/GPRS功能。
MTK联发科MT6261D详细资料图。
为处理器提供时钟的晶振特写。
上海艾为电子AW8733A超强TDD抑制、超大音量、防破音、超低EMI、K类音频功率放大器，可在4.2V电池电压下为8Ω负载提供2W输出功率（10% THD+N）；同时具有NCN功能，可在检测输出信号的“Crack”失真时自动调整系统增益，保护扬声器免受高功率损坏，为客户带来最舒适的聆听体验
据我爱音频网了解到，目前已有Meta、华为、小米、OPPO、vivo、荣耀、Redmi、联想、一加、魅族、LG、JBL、Nothing、HHOGene、猛玛、Oladance等众多海内外知名品牌采用了艾为电子的芯片产品。
丝印HS8269L射频功放前端芯片。
手机扬声器正面特写，通过金属盖板防护。
手机扬声器背面特写。
扬声器与一元硬币大小对比。
经我爱音频网实测，扬声器直径约为29.80mm。
手机听筒正面特写。
手机听筒背面特写。
手机听筒与一元硬币大小对比。
经我爱音频网实测，手机听筒长度约为12mm。
宽度约为7mm。
手电筒的LED灯特写。
用于拍照的摄像头特写。
手机麦克风正面特写，用于语音通话拾音。
麦克风背面特写，与导线焊接。
Belaves百灵鸟通信手机i551拆解全家福。
三、我爱音频网总结
Belaves百灵鸟通信手机i551在外观设计方面，体积非常的轻巧，重量仅有122.9g，搭配弧面边框，拥有着当下智能手机「无法比拟」的舒适手感；机身采用了粉色配色，搭配各种音符设计，在功能机正当年的那个时代，肯定能受到众多女生的喜爱。
内部配置方面，可更换电池容量2800mAh，为手机提供持久的续航；内置29.80mm大尺寸动圈喇叭，提供澎湃音效；内置麦克风和听筒，用于语音通话功能；还搭载了摄像头，支持录像和拍照功能。主板上，搭载了MTK联发科MT6261D处理器，上海艾为电子AW8733A K类音频功率放大器等。
手机射频功放设计技术介绍
硅 vs III/V族器件工艺
尽管CMOS技术在过去几年得到了加强，但60%的手机功放市场仍然由III/V族制造商主导，如RFMD，Skyworks和Triquint( RFMD和Triquint合并成了现在的Qorvo)。 在实际应用中，GaAs pHEMT或者InGaP HBT是设计手机PA模块最常用的器件技术。 这些技术在截止频率、击穿电压、坚固可靠性、线性度、功率密度和过渡时间等方面都表现出了最佳的性能。
表1概述了手机射频功放设计目前所采用技术特性
表1 从PA设计角度比较各种工艺技术
乘积f T * BV（截止频率乘以漏源击穿电压）是评估技术在高功率射频应用中的符合性的有用标准。 表2提供了各种工艺的比较数据。 硅LDMOS由于其低成本、高线性，主要应用于基站射频PA市场。 基于GaN或SiC衬底上的功放技术似乎也是非常有前途的，因为它们提高了射频和热性能。 尽管线性较低，但它们的目标是与硅LDMOS竞争，特别是在WCDMA（3G）或LTE（4G）基础设施部署方面。
表2 III/V族和SiGe的性能比较表
先前的讨论提出了CMOS/BICMOS 的制造在未来几年内可能在PA市场上发挥作用的问题。 手机功率放大器领域的领先公司通常在系统封装组件(SIP)中提出多模式多波段PA模块。 这种小型化和复杂的SIP组件包括一个或几个GaAs/InGaP功率die，CMOS控制器IC和集成耦合器/信号提取器（即滤波器）。 这一趋势将在未来的现代无线终端中走向更高的复杂性。事实上，在一个单一模块上需要联合处理更多的工作频段(GSM、EDGE、WCDMA、LTE、蓝牙、WIMAX等)以及集成更多的功能(电源管理、MIMO等)。
这两项要求导致了必要的SIP叠层面积的增加，BoM物料清单（大量的PA die，无源滤波器等）以及
成本的增加。 这可能有利于单模解决方案，并强调了BICMOS技术的优点，它们的成本相对较低，性能持续良好，它们能够很容易地将功率放大器与功率检测器（滤波器）、控制器电路、传感器（例如温度探头）和同一die上的任何其他模拟/数字块共集成；而与GaAs工艺共集成是相当不切实际的。
ST微电子0.25µm的BICMOS技术介绍
工艺概述
ST微电子BICMOS 0.25µm技术(B7 RF)是一种SiGe工艺，它允许涵盖所有数字、模拟以及射频应用。 尽管要处理的物理层数量相对较高，但与最先进的CMOS对应方相比，每平方毫米的成本仍然很低。 它具有集成能力、击穿电压和射频性能之间的良好折中，因为它具有较高的衬底电阻率。 它提供了一个厚的顶部金属层(Al或铜选项)，使设计中等品质因子（即Q因子）的无源器件(在2GHz电感的Q值达到10)，并提供设计稳定可靠的电迁移(高达5uA/µm)，以及低寄生电容效应。 有源器件包括用于高速低噪声应用的MOS和SiGe异质结双极晶体管(HBT)，以及用于功率放大的横向掺杂MOS(LDMOS)和高压HBT。 LDMOS器件致力于高频应用，必须与几何相似的漂移MOS(包括LOCOS)和致力于电源管理IO（低频和高压特性）区分开来。 额外的组件，如用于功率检测的肖特基二极管也是可以用来设计的。
后面我们会更加详细地介绍ST微电子的0.25µm BICMOS工艺技术的各种类型的器件以及工艺参数。
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