la4078n功放ic 南京微盟一级代理LDO，DC-DC等芯片型号大全|上海羊羽卓进出口贸易有限公司

南京微盟一级代理LDO、DC-DC等芯片型号大全

一、微盟电子

MICRONE 简介

据微盟（ MICRONE ）一级代理鑫富立介绍， 南京微盟电子有限公司，是一家专业从事模拟集成电路芯片产品研究、开发及销售的高新技术企业。产品目前已广泛应用于信息家电、无线通信、数字通讯和网络技术等多重领域。微盟电子作为中国电子（CEC）旗下的主要IC设计企业，通过了国家首批“集成电路设计企业”认证，并先后获得省、市级“高新技术企业”认定。值得一提的是，华大半导体有限公司作为微盟目前最大的股东方，为企业的发展不断提供优质平台和丰富资源。

微盟电子致力于开发电源管理类产品，主要包括LDO系列，DC/DC系列、LEDDRIVER、AC/DC系列、锂电管理、电压检测系列、数模混合系列、音频功放IC系列等，并为电子设备的主芯片及相关器件提供优质、稳定的电源解决方案。

二、微盟一级代理鑫富立，长期供应微盟全系列芯片，微盟常用的芯片型号分享如下：

品牌型号封装

微盟ME4222SOT23-6

微盟ME4075SOT23-5

微盟ME9601TSSOP24/TSSOP16

微盟ME9101SOP14/SSOP16

微盟ME9102SOP8

微盟ME9104SOP14/SSOP16/SSOP20/SSOP24

微盟ME7660

微盟ME1501

微盟ME1502

微盟ME6401SOT23-6

微盟ME3101SOT23-5

微盟ME3102SOT23-5/DFN2*2-6

微盟ME3103SOT23-5/DFN2*2-6

微盟ME3104SOT23-5

微盟ME3116SOT23-6

微盟MEI3001SOT23-6

微盟ME3118ESOP8/DFN3*3-8L

微盟ME3108SOT23-5/SOT23-6

微盟ME3107

微盟ME3111TSOT23-6

微盟ME3109DFN2*2-6

微盟ME3110SOT23-6

微盟ME3148SOP8

微盟MEXX1CSOT23-3/TO92 /SOT89-3

微盟ME2100SOT23-3/SOT23-5/SOT89-3

微盟ME2101SOT23-3/SOT23-5/SOT89-3

微盟ME2108SOT23-5/SOT89-3/SOT23-3/TO92/SOT23

微盟ME2110SOT89-3/SOT23-5 /SOT23-3

微盟ME2188SOT89-3/SOT23/SOT23-3/SOT23-5/TO92

微盟ME2109SOT23-5

微盟ME2129SOT23-5

微盟ME2139SOT23-5

微盟ME2149SOT23-5/SOT89-5/SOP8

微盟ME2159SOT23-6

微盟ME2169SOT23-6

微盟ME2170SOP8

微盟ME2179SOT23-6

微盟ME2185ESOP8

微盟ME2199TSOT23-8/SOP8

微盟MEI2001SOT23-6

微盟ME2107SOT23-5

微盟ME1117SOT223/TO252/SOT89-3

微盟MET1117SOT223/TO252

微盟ME7805TO220

微盟ME78M05TO252

微盟ME78L05SOT89-3

微盟MEB78L05

微盟ME6206ASOT23-3/SOT89-3/SOT23/TO92

微盟ME6206BSOT23-3

微盟ME6203TO92/SOT89-3/SOT23-3

微盟ME6118SOT23-3/SOT223/TO252/SOT89-3/DFN2*2-6

微盟ME6119SOT23-5/SOT89-3

微盟ME6207SOT89-5/SOT23-5/SOT89-3

微盟ME6208TO92/SOT89-3/SOT23-3

微盟ME6209TO92/SOT89-3/SOT23-3

微盟ME6210SOT89-3/SOT23-3

微盟ME6211SOT23-3/SOT343R/FBP1*1-4L/SOT23-5/SOT353/SOT89-3/DFN2*2-6

微盟ME6212SOT23-5

微盟ME6213SOT23-5/DFN2*2-6L

微盟ME6214SOT89-3/SOT23-3/SOT23-5/DFN2*2-6L

微盟ME6215SOT23-5

微盟ME6216SOT23-3/SOT89-3/SOT23/TO92/DFN2*2-3L

微盟ME6217SOT89-5/SOT23-5/SOT89-3

微盟ME6218SOT23-5/FBP1*1-4L

微盟ME6219SOT23-5/SOT353/SOT23-3/SOT89-3/SOT89-5

微盟ME6221SOT23-5

微盟ME6222SOT23-5

微盟ME6228SOT23-3/SOT89-3

微盟ME6230SOT23-3/SOT23-5/SOT89-3/DFN1*1-4/FBP1*1-4L

微盟ME6231SOT89-3/SOT23-3/SOT23-5/DFN1.2*1.6-4

微盟ME6239SOT23-3/SOT89-3

微盟ME6249SOT89-3/SOT23-3

微盟ME6251SOT23-5

微盟ME6266SOT23-3/SOT89-3/SOT23/TO92

微盟ME6233SOT23-5/SOT23-3/SOT89-3

微盟ME6220FBP1*1-4L

微盟ME6226sot23-5

微盟MEM2311SOP8

微盟MEM2313SOP8

微盟MEM2317SOP8

微盟FeaturesIB

微盟MEM13003TTO-92

微盟MEM13003TZTO-126

微盟MEM13003K3GTO-252

微盟MEM7N60TO220F

微盟MEM8N60TO220F

微盟MEM10N60TO220F

微盟MEM12N60TO220F

微盟MEM2N65TO251/TO252/TO220F

微盟MEM4N65TO220F/TO251/TO252

微盟MEM12N65TO220F

微盟MEM2301SOT323

微盟MEM2303SOT23/SOT23-3

微盟MEM2303-NSOT23

微盟MEM2307SOT23/SOT23-3

微盟MEM2309SOP8/SOT89-3

微盟MEM2311SOP8

微盟MEM2313SOP8

微盟MEM2302SOT23/SOT23-3

微盟MEM2302-NSOT23

微盟MEM2306SOP8

微盟MEM2306-NSOP8

微盟MEM2310SOT23/SOT23-3

微盟MEM2310-NSOT23

微盟MEM2402TO252

微盟MEM2404TO252

微盟MEM2502SGSOP8

微盟MEM2504SGSOP8

微盟MEM2401K3GTO252

微盟ME2803SOT23-3

微盟ME2804SOT23-3

微盟ME2805SOT23/SOT23-3/DFN1.2*1.6-4L/DFN2.0*2.0-6L/SOT23-5

微盟ME2805-NSOT23

微盟ME2806SOT23/SOT23-3/DFN1.2*1.6-4L/DFN2.0*2.0-6L/SOT23-5

微盟ME2807TO92/SOT23/SOT23-3/ SOT89-3/DFN1.2*1.6-4L/FBP1*1-4L

微盟ME2808TO92/SOT23/SOT23-3/ SOT89-3/DFN1.2*1.6-4L/FBP1*1-4L

微盟ME2815SOT23-5

微盟ME2816SOT23-5

微盟ME5101SOP8

微盟ME5102ESOP8

微盟ME5301ESOP8

微盟ME5302ESOP16

微盟ME5303ESOP8

微盟ME5311ESOP8/CPC8

微盟ME321SOT23-5/SOT353

微盟ME358SOP8/SOT23-8/CPC8

微盟MEB324DIP14

微盟MEB358SOP8/DIP8/CPC8

微盟ME393SOP8

微盟ME339SOP8

微盟ME4210SOT23-6

微盟ME4211SOT23-6/TSSOP8

微盟ME4213SSOP24

微盟ME4214MSOP10

微盟ME4212SOT23-6

微盟ME4054SOT23-5

微盟ME4054-NSOT23-5

微盟ME4064-NSOT23-5/DFN2*2-6L

微盟ME4074SOT23-5/DFN1.6*1.6-6L

微盟ME4055-NSOT23-6

微盟ME4056ESOP8

微盟ME4057ESOP8

微盟ME4057-NESOP8/DFN2*2-8L

微盟ME4058SOP8

微盟ME4059-NESOP8

微盟ME4068ESOP8

微盟ME4056-NESOP8

微盟ME4078ESOP8

微盟ME4051DFN2*2-6L

微盟ME4069ESOP8

微盟ME4052ESOP8

微盟ME4084SOT23-5/ESOP8

微盟ME4101ESOP8

微盟ME4102SOP8

微盟ME9803SOT23-6

微盟ME9804SOP-8

三、微盟一级代理鑫富立现货

深圳市鑫富立科技有限公司一级代理微盟全系列芯片，微盟常用型号均备有现货，欢迎咨询，极速报价，可实现下单后一天内快速发货，可FAE支持。

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4H-SiC MESFET特性对比及仿真

侯斌，邢鼎，张战国，臧继超，马磊

(航天科技集团九院七七一研究所，陕西西安710000)

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后，引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EPCG，通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EPCG分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时的直流特性。结果表明，当EPCG为1/2栅时，最大饱和漏电流取得最大值，在VG=0 V、VDS=40 V的条件下达到了545 mA；当EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时，最大饱和漏电流均不如EPCG为1/2栅时取得的最大值。

仿真；4H-SiC MESFET；阶梯栅；坡形栅

TN386.2

文献标识码： A

10.16157/j.issn.0258-7998.2017.01.003

中文引用格式： 侯斌，邢鼎，张战国，等. 4H-SiC MESFET特性对比及仿真[J].电子技术应用，2017，43(1)：13-15，19.

英文引用格式： Hou Bin，Xing Ding，Zhang Zhanguo，et al. The characteristic comparison and simulation of 4H-SiC MESFET[J].Application of Electronic Technique，2017，43(1)：13-15，19.

0 引言

4H-SiC MESFET作为下一代大功率微波器件的首选，具有静态工作电压高、输出阻抗大、线性化程度理想、器件通用性好及设计成本低等优点[1，2]。传统的4H-SiC MESFET器件虽然在理论上具有很好的直流和射频特性，但在实际中，由于击穿电压和漏电流的提高，在一定程度上为相互制约的关系，导致功率密度达不到更高的要求。目前科学界通过改变4H-SiC MESFET结构的尺寸、形状等手段来提高4H-SiC MESFET器件的性能。而双凹栅结构4H-SiC MESFET和阶梯栅结构MESFET的提出，对栅结构的改变提供了良好的思路。对于阶梯栅4H-SiC MESFET的研究表明，当阶梯栅的数目越多时，器件的各项特性将越好[3]。所以阶梯的数目趋向于无穷时，阶梯的形状就被微分为一个斜坡。

1 阶梯栅和坡形栅4H-SiC MESFET的结构

图1为阶梯栅结构MESFET的剖面图，从图中可以看出，MESFET的栅部分由上栅和下栅两部分构成，上栅部分为长方形结构，栅长为LG；下栅部分为倒阶梯状结构，栅长为W，下栅通过刻蚀延伸到N型沟道区。

图2是将阶梯数目极限后所产生的结构，器件的结构由一个半绝缘的衬底、一个P型的缓冲层、一个N型沟道和高掺杂的n型覆盖层从下而上堆叠而成，堆叠层表面通过溅射金属引出栅(G)、源(S)、漏电极(D)。坡形栅MESFET结构的尺寸如下：栅长度LGU为0.7 μm，栅源间距LGS为0.5 μm，栅漏间距LGD为1.8 μm，下栅高度为0.06 μm，N型沟道厚度为0.25 μm。掺杂浓度为3×1017cm-3，P型缓冲层厚度为0.5 μm，掺杂浓度为1.4×1015cm-3，栅的肖特基接触金属为镍[4]。

2 器件的物理模型及参数

对于4H-SiC MESFET的研究，通常采用漂移-扩散模型、热力学方程模型和流体力学模型来描述[5]。本文对坡形栅MESFET及其他结构的仿真中，由于牵扯到高温，漂移扩散模型不可用，流体力学模型相对于热力学模型速度慢得多，所以采用热力学模型进行分析[6]。

热力学模型假设载流子和晶格相互热平衡，所以可以假定系统温度统一，电子和空穴的电流密度方程可以通过式(1)和式(2)表示：

本文的仿真软件采用ISE-TCAD，描述坡形栅MESFET器件的基本模型有能带变窄模型、迁移率模型、雪崩离化模型和复合模型等。

3 不同栅结构的4H-SiC MESFET物理特性对比及坡形栅结构的优化

3.1 双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET物理特性对比

在不同栅结构的4H-SiC MESFET器件中，具有代表性的有双凹栅MESFET和阶梯栅MESFET。双凹栅MESFET的结构剖面图如图3所示。

从图3中可以看出，双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的区别为下栅部分，双凹栅4H-SiC MESFET的下栅部分为具有长度为W的长方形栅，而阶梯栅的下栅部分为阶梯状的栅。

3.1.1 双凹栅和阶梯栅电流输出特性对比

在不同栅压下(VG=0 V、-3 V、-6 V、-9 V)，阶梯栅和双凹栅MESFET结构的直流输出I-V特性曲线如图4所示。

从图4中可以看出，在不同的栅压下，阶梯栅MESFET的饱和漏极输出电流大于双凹栅MESFET。这是因为对于4H-SiC MESFET，沟道区的等效电阻主要由耗尽区的大小决定，随着低栅部分阶梯数目的变化，耗尽区随之改变，提高阶梯数目使得沟道电阻减小，使漏电流得到提高。在栅压VG=0 V时，阶梯栅MESFET的饱和漏电流为391 mA/mm，比同条件下的双凹栅MESFET提高了5.9%。

3.1.2 双凹栅和阶梯栅的击穿电压对比

图5为双凹栅MESFET和阶梯MESFET的击穿电压曲线，从图中可以看出，阶梯栅MESFET的击穿电压为52 V，比双凹栅MESFET提高了4%。这是因为，要使得器件发生击穿，器件内部的电场则需要更高的电压。因此，阶梯栅MESFET的击穿电压大于双凹栅MESFET[7]。

3.1.3 最大输出功率对比分析

通过阶梯MESFET与双凹栅MESFET的饱和漏电流和击穿电压可以计算出两种结构的最大输出功率密度Pmax：

其中，Id是4H-SiC MESFE器件的饱和漏电流，VB是击穿电压，Vknee是膝点电压。

从式(3)可以看出，由于阶梯栅MESFET的击穿电压和饱和漏极电流均大于双凹栅MESFET，因此其最大输出功率密度也大于双凹栅MESFET，可见阶梯栅MESFET比双凹栅MESFET具有更加优秀的击穿特性和功率特性。

3.2 阶梯栅结构和坡形栅结构4H-SiC MESFET物理特性对比及优化

在图2中描述了坡形栅MESFET的结构，在此引入坡形栅MESFET的特征参数(EPCG)，即坡形栅的终点，定义上栅和下栅的交点为坡形栅的终点。图6中①、②、③、④分别代表了1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅的坡形栅MESFET。图7为坡形栅和阶梯栅MESFET漏电流-漏源电压对比图。

从图7中可以看出，在VDS较小，即器件工作在线性区时，坡形栅MESFET和阶梯栅MESFET的漏电流基本相同，但当VDS进一步增大，这几种结构就有了显著差异。对于坡形栅MESFET，由于EPCG的不同，导致器件沟道区内的耗尽层发生改变，使得最大饱和漏电流发生变化。当EPCG为1/2栅时，最大饱和漏电流取得最大值，在VG=0 V、VDS=40 V的条件下达到了545 mA。而EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时，最大饱和漏电流不如EPCG为1/2栅时，也就是说，当EPCG从全栅移动到3/4栅、1/2栅时，由于沟道层内的耗尽区不断减小，使得沟道不断展宽，导致最大饱和漏电流不断增大；而EPCG从1/2栅移动到1/4栅时，沟道耗尽区边界的电流集边效应将会越来越严重，这会使得沟道减小，导致最大饱和漏电流减小。因此，当EPCG为1/2栅时，坡形栅MESFET的漏电流达到最大值。

图8为EPCG分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时，坡形栅MESFET的击穿电压对比图。从图中可以看出，当EPCG为1/2栅时，坡形栅MESFET的击穿电压最大达到57.5 V；而当EPCG为3/4栅时，坡形栅MESFET的击穿电压最小，为48 V。这是因为，在EPCG为3/4栅和全栅时，由于栅结构下方的终点距离漏测较近，使得栅漏边缘形成了较大的电场，因此更易发生击穿。而EPCG为1/4栅和1/2栅时，漏测边缘更接近于常规4H SiC MESFET，因此击穿电压较高。

4 结论

本文对比了双凹栅结构和阶梯栅4H-SiC MESFET的电流电压直流特性。结果表明，阶梯栅4H-SiC MESFET具有更好的直流特性。通过对阶梯栅的极限化处理，引出了坡形栅的4H-SiC MESFET结构，以及坡形栅的4H-SiC MESFET的特征参数-坡形栅的终点(EPCG)。仿真结果表明，当EPCG为1/2栅，最大饱和漏电流取得最大值，在VG=0 V、VDS=40 V的条件下达到了545 mA；EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时，最大饱和漏电流均不如EPCG为1/2栅时取得的最大值。

参考文献

[1] SUDOW M，ANDERSSON K，BILLSTROM N，et al.An SiC MESFET-based MMIC process[J].Microwave Theory and Techniques，IEEE Transaction on，2006，54(12)：4072-4078.

[2] WILLARDSON R K，WEBER E R.SiC material and devices[M].Academic Press，1998.

[3] JIA H，ZHANG H，XING D，et al.A novel 4H-SiC MESFET with ultrahigh upper gate[J].Superlattices and Microstructures，2015，86：372-378.

[4] MEAD C A.Schottky barrier gate field effect transistor[J].Proceeding of the IEEE，1966，54(2)：307-308.

[5] 刘恩科.半导体物理学(第七版)[M].北京：国防工业出版社，2011.

[6] 任雪峰，杨银堂，贾护军.4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型[J].半导体技术，2008(2)：129-132.

[7] RAMEZANI Z，OROUJI A A，AGHAREZAEI H.A novel symmetrial 4H-SiC MESFET：an effective way to improve the breakdown voltage[J].Joural of Computation Elctronics，2015(1).