NS4160纳芯威(NSIWAY) 5W单声道音频功放芯片介绍
NS4160概要
纳芯威（NSIWAY）NS4160是一款带AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器、5W单声道音频功放。通过一个控制管脚使芯片在AB类或者D类工作模式之间切换，以匹配不同的应用环境。即使工作在D类模式，NS4160采用先进的技术，在全带宽范围内极大地降低了EMI干扰，最大限度地减少对其他部件的影响。NS4160无需滤波器的PWM调制结构及反馈电阻内置方式减少了外部元件、PCB面积和系统成本。NS4160内置过流保护、过热保护及欠压保护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。并且利用扩频技术充分优化全新电路设计，高达90%的效率更加适合便携式音频产品。
NS4160提供eSOP8封装，额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
主要特性
AB类/D类工作模式切换功能
AB类/D类工作模式和低功耗关断模式通过一线脉冲控制，节省主控GPIO
5W输出功率
0.1%THD（1W输出功率、5V电源）
优异的全带宽EMI抑制能力
优异的“上电，掉电”噪声抑制
高达90%以上的效率(D类工作模式)
工作电压范围：3.0V～5.5V
过流保护、过热保护、欠压保护
eSOP8封装
应用领域
手提电脑
台式电脑
低压音响系统
典型应用电路
图1NS4160典型应用电路
极限参数
注 ：在极限值之外或任何其他条件下，芯片的工作性能不予保证。
芯片基本结构描述
NS4160是单声道带AB类，D类工作模式切换功能的音频功率放大器。芯片内部集成了反馈电阻，放大器的增益可以在外围通过输入电阻设置。其原理框图如下：
纳芯威常用音频芯片
纳芯威NS8258内置BOOST升压,防失真、3WX2、
纳芯威NS8002单声道、AB类音频功放
纳芯威NS4890B单声道、AB类音频功放
纳芯威NS4871单声道、AB类音频功放、底部散热
纳芯威NS4830电荷泵升压、转换效率高、AB/D类切换
纳芯威NS4820双电荷泵升压、防失真
纳芯威NS4818AGC、内置电荷泵升压、抗干扰
纳芯威NS4816AGC、内置电荷泵升压、抗干扰
纳芯威NS4815内置电荷泵升压、抗干扰、NCN
纳芯威NS4814内置BOOST升压、防失真、无需滤波器、3.7V/11W单声道AB/D类双模音频功放
纳芯威NS4813内置BOOST升压、防失真、无需滤波器、3.7V/11W单声道AB/D类双模音频功放
纳芯威NS4752内置BOOST升压、防失真、无需滤波器、3.6V/5W单声道AB/D类双模音频功放
纳芯威NS4268DC音量控制、超低EMI、无需滤波器、3W双声道D类音频功放+立体声耳机功能
纳芯威NS4263AB类/D类切换、超低EMI、无需滤波器、蓝牙音箱、中小尺寸TV3W双声道音频功放+立体声耳机功能
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纳芯威NS4258低静噪、3W双声道、防破音、AB/D切换
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纳芯威NS4168I²S数字音频输入、外围简洁
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纳芯威NS4158B防失真、超低EMI、无需滤波器、
纳芯威NS4158防失真、超低EMI、无需滤波器、5W单声道音频功放
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纳芯威NS4151M超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放
纳芯威NS4151D超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放
纳芯威NS4150C超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放
纳芯威NS4150B超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放
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纳芯威NS41117.4V双节锂电供电、9V/4欧/10W
纳芯威NS4110BAB/D类切换、18W单声道、小封装大功率
鑫富立科技纳芯威一级代理
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目前音质好的功放芯片有哪些？单声道ABD类类功放IC，WT9110
目前音质好的5V~15V的功放芯片有哪些？
深圳唯创知音的WT9110单声道AB/D类功放IC，可以实现2Ω~4Ω，13W~27W的功放功率，可以实现AB/D类的功放切换，静态电流可以保持在20~30mA之间，下面小编为大家介绍一下，WT9110的功放芯片。
WT9110是一款低EMI，无需滤波器，AB/D类可选式音频功率放大器。14.4V工作电压时，最大驱动功率为27W（VDD=14.4V,4ΩBTL负载，THD<10%），音频范内总谐波失真噪声小于1％（20Hz～20KHz)；
WT9110的应用电路简单，只需极少数外围电器件；输出不需要外接耦合电容或上举电容和缓冲网络；WT9110采用ESOP8封装，特别适合用于小音量、小体重的便携系统中；
WT9110可以通过控制进入关断模式，从而减少功耗；WT9110内部具有过流、欠压、短路以及过热自动关断保护机制；WT9110工作稳定，通过配置外电阻可以调整放大器的电压增益，方便应用。
功放芯片选型表
产品特点
1、低EMI，高效率，音质优良
2、AB/D 类切换、单通道
3、VDD=14.4V，RL=4Ω，Po=27W，THD+N≤10%
VDD=12V，RL=3Ω，Po=23.5W，THD+N≤10%
VDD=12V，RL=4Ω，Po=20W，THD+N≤10%
VDD=7.4V，RL=2Ω，Po=13W，THD+N≤10%
4、宽工作电压范围5V—15V
5、采用ESOP8 封装
管脚介绍
典型应用电路
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