分享8款100w功放电路图

D类100w功放电路

介绍一款采用普通元件制作的D类100W功放电路，供广大音响爰好者参考。电路如图1所示。

元件选择要点：

Ic1选用双D触发器CD4013。IC2选用高速MOSFET驱动电路TC4426，该芯片在4．5V～18V供电范围内均能稳定地工作，其输出驱动电流高达1．5A，而输出阻抗只有7Ω（内部电路如图2所示），因此是驱动数字功放中MOSFET功放管的理想器件。输出管选用NMOS场效应管IRFP140（100V，30A，150W）。D1、D2选用高速肖特基二极管MBR150，如果买不到MBR150，也可以用其他同类型二极管替换。T1用直径为1mm的高强度漆包线在直径为25mm的3C85型磁心上双线并绕8匝。T2初级用直径为1mm的高强度漆包线在相同磁心上绕6匝，次级用直径为0．8mm的高强度漆包线在相同磁心上绕21匝。L1用直径为0．8mm的高强度漆包线在T-157-2型铁氧体磁心上密绕64匝。L2用直径为0．8mm的高强度漆包线在T-130-2型铁氧体磁心上密绕64匝。如果该功放在工作时有噪声干扰，可在CD4013以及TC4426的电压输入端（靠近管脚）加装一只47nF的电容。电阻均选用五色环金属化电阻，MOSFET输出管控制极的2．2Ω电阻功率为2W，3个470nF电容选用WIMA电容，其余电容为普通电容。元件参数如图1所示。

该机的供电电压只有13．8V，因而对电源的输出电流要求较高，电流要大于9A才能保证在大功率状态功放机正常工作。如果条件允许的话，电源可以用输出电压为14V的开关电源改制。

输出阻抗在4-16Ω之间时，该功放均能正常工作，效率高于76％。由于输出变压器T2的存在，输出音色颇有胆机风味，音响爱好者不妨一试。

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高保真功放电路

采用了全对称互补电路结构，同时对所有元件严格配对使用，使功放的直流化有了可靠的保证。输入级为线性优异的共源共基电路，在其后由复合共射电路构成主放大级，对扩展动态和提高解析力均很有益。功率输出为三级达林顿电路，由于电流增益极高，可轻松驱动大食音箱。本机每一级电路都加有一定的本级反馈，使之尽量降低开环失真，而总体反馈仅控制在16dB左右。

调试也很简单，调VR1使第一级负载电阻2.4kΩ上压降为6v，调VR2使中点为0V，调VR3使末级每管静态电流为100mA。*率管A1209／C2911应安装散热器。本机在设置整体反馈电路时做过一个试验：将左声道电路的反馈点由Ａ点引出，使之构成无大环路反馈功放，将右声道反馈点由Ｂ点引出，即所谓环路反馈功放，开机进行对比试听，可听出左声道音质要明显胜过右边声道，左声道声音极为通透纯净，瞬态响应很好，而右声道的声音则有点浑浊，解析力不高。这一试验相信对许多烧友有一定的参考价值。

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TDA7250驱动的功放电路

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分立功放电路

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50W-100W功率放大器电路

简单的50W-100W电压形式的音响功率放大器，该电路属于电压形式的功率放大器，最大优点是制作十分简单！只要按电路图上面的方法，可一次成功。调试方法也很简单。主要调整的元件是：R11、R12、R13调整R11和R12可以静态电流。

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互补功率放大器电路

这个电路为对称结构，要求晶体管进行放大倍数的匹配以外，没有复杂的调试过程。这个电路要求音源输出端必须要有隔离电容，否则可能会出现短路。改进的办法很简单，在输入级加一个隔离电容（隔离电容，是利用电容器“通交流、隔直流”的性质，用在需将直流隔断的地方）就可以了，10微法50V的电解电容适用。单一的射级跟随器输出电阻小，带负载能力强，但它的静态电流大，所以能量转换效率低，为了提高效率，将晶体管的静态工作点设置在截止区。而此时的弊端就是在输入信号的一个周期内，输出电压只有半个周期的波形，即严重的截止失真。为了使波形完整，将NPN管组成极性相反的射级跟随器。于是就构成了互补对称电路。电路中的电容要求耐压至少为50V。

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pLPC1342V功放电路

由pLPC1342V和NE（二公司的名发烧对管2SC2987A和2SA1227A组成的功放电路，最大输出功率可达120W，截止频率可达500MHZ。它的集电极输出电流f州可达12A。

该电路的输出级是采用双管并联输出的，目的是增大输出功率。电路工作电压采用±45V，提高工作电压可以增大输出功率，但功放管的管耗和发热量也在增大，所以在满足输出功率的需要下，应尽可能降低电源电压。对于2SC2987A／2SA1227A组成的功放电路而言，末级的供电电源最好不超过±45Vo前级ppC1342V可以和末级共用一组电源，也可以单独使用一组电源，前后级单独供电时，前级也可使用稳压电源。前后级共用一组电源时，可将图中的a与b、c与d连接在一起即可。

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100w功放电路

偏置电流可调，并应约静态电流为25mA，额定输出功率100W，4欧姆，供电：正负35V电源对称供电

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三极管、场效应管、运算放大器基本放大电路的结构特点与电路分析

基本放大电路是放大电压或电流的电路。

基本放大电路的结构特点

根据工作条件和电路的不同，基本放大电路的结构也有所差异，根据电路的结构和放大元件的不同，大体可将基本放大电路分为晶体管放大电路、场效应管放大电路、多级放大器和负反馈放大器、差动放大电路、运算放大电路等。

1、晶体管放大电路的结构特点与电路分析

晶体管最基本的作用之一就是放大，因此，使用晶体管制成的电路具有放大作用。

下图是晶体管放大电路的功能示意图。

在对晶体管放大电路进行识读前，应首先了解电路的结构组成。

下图是典型的晶体管放大电路。

由上图可知，晶体管放大电路主要是由晶体管、电阻器和电容器等组成。

晶体管是一种电流放大器件，当输入信号加至晶体管基极时，基极电流随之变化，进而使集电极电流产生相应变化。由于晶体管本身具有放大倍数，根据电流的放大关系，是经过晶体管后的信号放大了一定倍数，输出信号经耦合电容阻止直流后输出，这时在电路的输出端便得到了放大后的信号波形。

2、场效应管放大电路的结构特点与电路分析

场效应管与晶体管一样，也具有放大作用，场效应管是电压控制器件，它具有输入阻抗高，噪声低的特点。

场效应管的三个电极分别是栅极、源极、漏极，分别相当于晶体管的基极、发射极、集电极。由其构成的放大电路可分为三种：共源、共漏和共栅极放大器。

场效应管三种组态电路见下图。

图a)是共源放大器，相当于三极管中的共射极放大器，是一种最常见电路。

图b)是共漏放大器，相当于三极管共集电极放大器i，输入信号从漏极与栅极之间输入，输出信号从源极与漏极之间输出，这种电路又称为源极输出器或源极跟随器。

图c)是共栅放大器，相当于三极管共基极放大器，输入信号从栅极与源极之间输入，输出信号从漏极与栅极之间输出。这种放大器的高频特性比较好。

典型的场效应管放大电路见下图。

.在场效应管的漏极和源极之间加上一定电压，并串接一个电阻，那么改变或调整Ugs，就可改变Id的大小，进而改变输出电压，实现电压放大。

3、运算放大器电路的结构特点与电路分析

标准的运算放大器由三种放大电路组成：差动放大器、电压放大器和推挽式放大器。

运算放大器的基本构成见下图

基本运算放大电路有很高的电压放大倍数，因此在作为放大运用时，总是接成负反馈的闭环结构；否则电路是非常不稳定的。运算放大器有两个输入端，因此输入信号有三种不同的接入方式，即反相输入、同相输入和差动输入。无论是哪种种输入方式，反馈网络都是接在反相输入端和输出端之间。

利用运算放大器构成的温度检测电路见下图。

MC1403为基准电压产生电路，其2脚输出经电阻和电位器等元件分压后加到运算放大器的同相输入端，热敏电阻饥饿在运算放大器的负反馈环路中。环境温度发生变化，热敏电阻的阻值随之发生变化，IC1的输出加到IC3的反相输入端，经IC3放大后作为温度传感信号输出，IC1相当于一个测量放大器，IC2是IC1的负反馈电路，RP2，RP3可以微调负反馈量，从而提高测量的精度和稳定性。

基本放大电路的分析实例

1、宽频带放大电路的分析实例

典型宽频带放大电路见下图，该电路是一种典型的共射极放大电路。

该电路是一种1-250MHz宽频带放大器电路。该电路采用两级放大器作为放大电路，VT3作为输出级放大器。

主要是由晶体管放大器VT1，VT2，VT3以及相应的分压电阻器，耦合电容器等组成，其中VT1，VT2，VT3主要用来对输入的信号进行三级放大，分压电阻器主要用来为晶体管提供工作电压，耦合电容器可用来将信号耦合后送往下一级的晶体管中。

在该电路中，其输入信号由接口J1输入，经电容C1耦合后送入三极管VT1的基极，有三极管放大后经其集电极输出，并经电容C5耦合后送往三极管VT2的基极进行放大，经集电极输出，经电容C9耦合后再送往晶体管VT3的基极上，最终由发射极送往输出口J2。

2、超小型收音机电路的分析实例

见下图，它采用两只晶体管，其中的场效应管放大电路采用了固定式偏置方式。

该电路主要是由场效应管VT以及晶体管2SC2001，耦合电容器C1和C4以及周围元器件组成。场效应管VT用来进行高频信号的放大。

由外接天线接收信号，经C1进入LC振荡电路。LC振荡电路由磁棒线圈和电容组成，谐振电路选频后，经C4耦合至场效应管VT的栅极，与栅极负偏压叠加，加到场效应管山脊上，使场效应管VT的漏极电流相应变化，并在负载电阻R1上产生压降，经C5隔离直流后输出，在输出端得到放大了的信号电压，放大后的信号送入三极管2SC2001的基极，该管还具有检波功能，将调制在高频载波信号上的音频信号检出，输出较纯净的音频信号到耳机。

3、电容耦合多级放大器电路的分析实例

典型的电容耦合多级放大器电路见下图。

该电路由两个共发射极晶体管放大器连接而成的电容耦合两级放大器，可获得较高的放大倍数。信号经过电容器C1耦合到共发射极晶体管VT1的基极，经集电极输出通过电容器C2耦合到后级共发射极晶体管VT2的输入端（基极）。

使用电容器C2耦合，就可以防止某极放大器的直流偏压影响下一级的直流偏压，但是交流信号能够通过耦合电容送入下一级电路。

4、小型录音机音频信号放大器的分析实例

见下图，该电路是一个由多级放大器和负反馈放大电路组成。可将话筒输入的音频信号放大，然后送入录音头，用来保存声音信号。

该电路主要由话筒、电位器、晶体管放大器以及周围的分压电阻器，耦合电容器，反馈回路中的电容器等组成。其中VT1，VT2，VT3组成多级放大器。

话筒信号经电位器RP1调整后加到晶体管VT1，R4接在VT1的发射极作为电流负反馈电阻稳定直流工作点，C3为去耦电容使VT1交流增益提高。音频信号经三级放大后加到变压器T1的初级线圈。VT3的集电极输出经R18，C16反馈到VT1的基极，用以改善放大器的频率特性。该放大器的输出采用变压的方式可以补偿高频信号。

5、OTL音频功率放大器电路的分析实例

见下图。该电路的输出级是一个典型的差动放大器电路，其输入级采用VT1和VT2组成的差动放大器进行音频信号的放大。

VT1、VT2构成差动输入级电压放大器，VT3是推动管，VT4和VT5为功放输出管的静态偏置二极管，VT6-VT9构成复合互补对称式OTL电路，是输出级电路，其中VT6和VT7为两只NPN型同极性复合管，等效成一个NPN型晶体管，VT8和VT9是PNP和NPN复合管。等效成一只PNP型晶体管。

输入信号经过耦合电容C1加到VT1的基极，经放大后从集电极输出，直接耦合到VT3的基极，放大后从集电极输出。VT3集电极输出的正半周信号经VT6和VT7放大，由C7耦合到SP1中，VT3管集电极输出的负半周信号经VT8和VT9放大，由C7耦合到SP1中，在SP1上获得正、负半轴一个完整的信号。

VT1和VT2构成单端输入、单端输出式差动电路，是一级电压放大器。VT1基极偏置由R1提供，VT2基极偏置由R7提供，R7的右端接输出端，其直流电压为1/2（+V）。

推动极VT3的基极电压取自VT1的集电极，这两极之间采用直接耦合方式。C5是VT3的高频电压并联负反馈式消振电容，它容量小，对音频信号而言呈开路，对高频信号容抗很小，具有大的负反馈作用，以抑制放大器可能出现的高频自激。

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