花了好几天分析了几十款快充头方案：国产元器件渗透率杠杠的
小米抄苹果“环保”式的作业，首推不配充电器的“小米11标准版”。
智能手机的充电器，各种快充、闪充和无线充争奇斗艳，覆盖20W~120W各种功率。直入主题，市面上的充电器常用的有哪些方案呢？
充电器以PWM主控芯片、协议芯片、氮化镓功率芯片、整流或开关MOS、滤波、安规或供电电容、电路保护、电感、光耦、变压器、接口等组成。具体来讲，BOM List里有哪些元器件呢？
1、PWM主控芯片：
美思迪赛（MIX-DESIGN）：MX6911，高度集成的快充适配器设计，为高效率，低待机功耗而优化。其内置超级硅功率开关器件和数模电源控制单元及Smart-Feedback模块，该IC引脚设计为了保证高低压引脚的绝缘距离，采用了高低压引脚分离设计，把中间两个引脚空起来增加隔离距离，提高安全性。
PI：INN3366C，宽电压环境下最大输出27W，对于最高18W输出，有充足的功率余量。INN3379C，采用PowiGaN技术，内置PWM控制器、高压MOS、同步整流控制器等，集成度非常高，并且采用数字总线控制调压。宽电压范围条件下，密闭外壳内可以输出65W功率。INN3279C，内置750V PowiGaN™技术，适配器密闭环境中宽电压输入可输出65W，这里降额使用是为了降低发热。PI全集成IC内部集成准谐振反激控制器和集成的主开关管，同步整流控制器和内置反馈，以及恒功率输出。
安森美（ON）：NCP1342，高度集成的准谐振反激控制器，用于高性能的开关电源，内部集成X2电容放电，支持宽范围VCC供电和VCC过压保护，内置过热关断，支持完善的保护功能。
图1 PMW主控芯片NCP1342
芯朋微（Chipown）：PN8161，内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动功能。PN8162，内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。
昂宝（On-Bright）：OB2631U，集成DCM PWM控制器和高压开关管，为高性能低待机功耗以及低成本开关电源而优化。此外提供完整的保护功能，包括逐周期电流限制，过载保护，欠压闭锁和内部过热保护。适用于PD适配器和其他宽输出范围的适配器。OB2633，高效率多模式初级PWM控制器，支持宽供电电压，多模式运行，内置软启动和增强的突发模式，内置完善的保护功能。适用于快充适配器应用。
诚芯微（CXW）：CX7527C，电流模式PWM控制芯片，内置650V超级硅MOS管，应用于功率在30W以内的方案。
硅动力（Si-Power）：SP6649HF，电流模式PWM控制芯片，内置650V高压功率MOSFET，应用于功率在30W以内的方案，固定65KHz开关频率，内置抖频功能用于改善EMI性能，跳频模式提高轻载效率，降低待机功耗。同时内置多种完善的保护功能，全功率范围无音频噪声，采用SOP8封装。
稳先（WINSEMI）：WS2393BN，高集成度、高性能的电流模式PWM 控制器芯片，适用于电源适配器等中小功率的开关电源设备。为了降低待机功耗，满足更高的绿色环保标准，芯片提供了脉冲模式（Burst Mode）功能、极低的启动电流和工作电流。
恩智浦（NXP）：TEA2016AAT，内置LLC控制器和PFC控制器，内置数字架构控制，简化了设计的同时减少外围元件数量，芯片内置多重完善的保护功能。
2、协议芯片：
美思迪赛（MIX-DESIGN）：MX5480，集成同步整流控制器、同步整流MOS管、多协议处理三大功能的次级芯片。MX5480支持USB PD快充A+C解决方案，支持QC、PD和其它多个私有快充协议。
英集芯（INJOINIC）：IP2218，支持USB PD2.0/PD3.0/PPS DFP、QC3.0、QC2.0、SCP、FCP、AFC、Apple 2.4A、Samsung 2A、BC1.2等协议，采用SSOP10封装，另外IP2218采用I2C数字总线与协议芯片连接，调节输出电压。IP2726，集成多种协议、用于USB输出端口的快充IC，支持Type-C DFP、PD2.0、PD3.0、PPS、QC4+、QC3.0、QC2.0、FCP、AFC、SCP、MTK PE+、Apple2.4A、BC1.2以及三星2A等协议。IP2723T，集成多种协议、用于USB输出端口的快充协议IC。支持多种快充协议，包括USB TypeC DFP、PD2.0/3.0、PPS 、HVDCP QC4、QC4+、QC3.0/2.0、FCP、SCP、AFC、MTK PE+ 2.0/1.1、Apple 2.4A、BC1.2以及三星2.0A。为适配器、车充等单向输出应用提供完整的TYPE-C解决方案。
智融（ISMARTWARE）：SW3510，内置有USB-C口识别及多种快充功能的高集成度双口充电芯片，支持A+C口任意口快充输出，支持双口独立限流。集成了5A高效率同步降压变换器，支持 PPS、PD、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP等多种快充协议，CC/CV 模式，以及双口管理逻辑。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。SW3516，USB-C口的降压控制器和协议识别。高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持A+C口任意口快充输出，支持双口独立限流。其集成了 5A 高效率同步降压变换器，支持PPS、PD、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP、低压直充等多种快充协议，CC/CV 模式，以及双口管理逻辑。
图2 协议芯片SW3510
昂宝（On-Bright）：OB2613，高精度高集成度的USB PD控制器， 已于2018年11月获得USB-IF的PD3.0+PPS认证，并于2018年12月通过高通QC4+的测试认证。
沁恒（WCH）：USB-C单口快充协议芯片，支持 PD2.0/3.0、PPS、BC1.2等快充协议，支持AC-DC或DC-DC恒压和恒流输出模式反馈调节，高集成度，外围精简。集成VBUS检测与放电功能，并且提供过压、 过温、过流保护等功能。可广泛应用于交流电源适配器、车载充电器、UPS、移动电源等各类场合。
伟诠（WELTREND）：WT6636F，通过USB-IF协会USB PD3.0（PPS）认证的协议芯片（TID号：1080018）。支持USB PD3.0和PPS，内置可编程的恒压恒流控制，集成低侧电流采样放大器，支持线损补偿，支持多重保护功能，包括数据线的过压保护，内部集成10bit ADC用于电压和电流检测，内置8051内核单片机，内置放电MOS管。
图3 协议芯片WT6636F
富满（FM）：XPD720，已经通过了USB PD3.0认证，TID：3479，支持QC2.0、QC3.0、AFC、FCP、SCP、HVSCP、PD和PPS等快充协议，内部集成 10mΩ VBUS 通路功率开关管，并且集成10mΩ电流检测电阻，支持完善的保护功能，节省外围元件数量，降低成本。采用ESOP8封装。
慧能泰（Hynetek）：HUSB339，高性能、高集成的USB Type-C Power Delivery（电力传输）控制器，集成了PD2.0、PD3.0、PPS、QC2.0/3.0、BC1.2、5V2.4A等充电协议；适用于电源适配器、车载充电器、移动电源等应用场合；拥有SOP-14L和QFN-16L两种封装模式。
3、氮化镓功率芯片：
纳微（NAVITAS）：NV6125，内置驱动器，无需外置驱动器，175mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用散热增强的QFN6*8mm封装，适用于升压，降压，半桥，全桥开关电源等诸多应用场合。NV6123，频率和软开关拓扑优化，内部集成驱动器，导阻300mΩ，6*8mm QFN封装。
图4 氮化镓功率芯片NV6125
英诺赛科（INNOSCIENCE）：INN650D02，耐压650V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求。开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。
4、整流或开关MOS：
谷峰（GOFORD）：G30N03A，G33N03D3，N沟道MOSFET，耐压30V。
沃尔德（WORLD）：WRABS20M，WRMSB40M，WRLSB80M，整流桥。
华羿（HUAYI）：HYG055N08NS1C2，N沟道MOSFET，耐压80V。
锐骏（RUICHIPS）：RU3070M2，NMOS，耐压30V，PDFN3333封装；RUH4040M2，NMOS，耐压40V；RU3030M2，NMOS，耐压30V。
芯源（MPS）：MP6908A，最高工作频率600KHz，支持DCM，CCM和QR以及ACF工作模式。
图4 整流芯片MP6908A
华润微（CR MICRO）：CRSM088N12N，NMOS，耐压120V，导阻7.3mΩ。
图5 整流NMOS管CRSM088N12N
威兆（VS）：VS3610AE，VS3622DB，VS3622DE，VS3618BE，NMOS，耐压30V，输出同步整流降压；VSP008N10MSC，支持逻辑电压控制，NMOS，导阻6mΩ，耐压100V。
万国（AOS）：AON6220，AO4296，NMOS，耐压100V，逻辑电压驱动，适合适配器同步整流应用。AON7400A，NMOS，耐压30V。
新洁能（NCE）：NCE3035Q，NMOS，耐压30V；NCEP6050AQU，NMOS，导阻6.5mΩ，DFN3.3*3.3封装，耐压60V。
强茂（PANJIT）：ABS210A，整流桥。
芯朋微（Chipown）：PN8307H，内置同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，导通压降极低的功率MOSFET可以提高电流输出能力，降低温升，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的余量。
昂宝（On-Bright）：OB2004ZCP，内置NMOS，支持3-12V输出，集成度高；OB2004A，高性能，高性价比的CCM模式同步整流控制器。
诚芯微（CXW）：CX7538B，高性能的开关电源次级侧同步整流器芯片，在开关电源中轻松满足6级能效，是肖特基的理想替换方案。CX7538B支持最高150KHz开关频率，内置11mΩ低导阻NMOS管，发热远低于肖特基二极管，大幅度降低温度，提高转换效率。
硅动力（Si-Power）：SP6518FB，高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案，SP6518FB支持150KHz工作频率，支持CCM/QR/DCM工作模式，适合3.3-12V快充同步整流应用，采用SOP8封装，外围元件精简。
恒泰柯（HUNTECK）：HTM040N03P，NMOS，耐压30V，DFN3.3×3.3封装；HGN077N10SL，NMOS，耐压100V，逻辑电压驱动，为同步整流而优化。
冰旭（PY）：ABS210，ABSR210，整流桥。
图6 整流桥ABSR210
芯茂微（CHIP HOPE）：LP20R100S，适用于AC-DC的同步整流应用，适用于正激系统和反激系统，此外支持DCM，BCM，QR，和CCM多种工作模式，耐压100V，芯片内集成VCC供电。
芯电元（SEMI-ONE）：PED3016M，耐压30V，适用于DC转换器等应用。
美浦森（MAPLESEMI）：MSD04065G1，碳化硅二极管，耐压650V，更短的恢复时间，采用TO252封装，用于PFC升压整流。
恩智浦（NXP）：TEA1995T，内置两个驱动器用于LLC架构开关电源的同步整流。
东芝（TOSHIBA）：TPH4R50ANH，100V耐压，导阻3.7mΩ，适合于DC-DC转换器，开关稳压器和马达驱动。
意法半导体（ST）：STF13N65M2，NMOS，耐压650V，导阻0.43Ω，TO220FP封装。
安森美（ON）：NCP4306，支持最高1MHz开关频率，支持多种工作模式，支持GaN同步整流管，最小导通关闭时间可调节；NTMFS3D6N10MCL，NMOS，100V耐压，3.6mΩ导阻。NVTFS4C05N，NMOS，耐压30V，导阻3.6mΩ。
捷捷微（JJM）：JMTQ080P03A，耐压30V。
5、滤波、安规或供电电容：
瓷谷（CGE）、昱光（y.u.g)、永铭（YMIN）、承兴（CX)、富仕达（FSD-CON）、富之庆（Asia’x）、凯特（K·T）、huihe、Njcon、CyXincon、万京源（JSH）、成希（DGCX）、易利嘉（EGC）、松田（STE）、特锐祥（TRX）、威庆（WQC）、嘉耐(JNC)、奥凯普（OKCAP）、天泰（TENTA)、云星（YUNXING）、凯普松（CAPXON）、华信安（ISND）、绿宝石（BERYL）、全鹏（CHAMPION）、智旭（JEC）、明月光（Micon）、钰邦（APAQ）、艾华（AiSHi） 、黄宝石（TOPAZCON）等品牌X电容、Y电容、电解电容或固态电容。
图7 滤波电解电容 耐压400V 耐温105℃ 18uF
6、电路保护：
兴勤（THINKING）、时恒（SHIHENG）、科雅（HEL）、诚润（CHEVRON）、瑞卓（Reomax）、功得（Conquer）、良胜（Lanson）等品牌的氧化锌压敏电阻、NTC热敏电阻或者保险丝等电路保护元件。
图8 两款保险丝
7、电感：
晶英达（JY）等品牌的共模电感、工字电感或谐振电感，仅凭外观喷码无法识别品牌，用于滤除EMI干扰或降压。
图9 LCC谐振电感
图10 工字电感
图11 共模电感
8、光耦：
亿光（EVERLIGHT）：EL1019，EL357N，EL1018；奥伦德（Orient）：OR-1008；光宝（LITE-ON）：K22 1008（丝印）。用于反馈调节输出电压。
图12 光耦（K22 1008 丝印）
9、变压器：
东莞市智盛电子有限公司等公司的变压器，仅凭外观喷码无法识别品牌，用于变压。
图13 智盛变压器
让人欣喜的是，很多品牌的充电器都选择了国产芯片和器件方案，中国是全球最大的电子应用市场，放眼望去国产替代的机会如同星星之火，终可燎原。拍明芯城是快速撮合的元器件交易平台，更全的商品、更优的价格和更广泛的信息是必要的，积极导入和支持国产芯片的初心未变，为广大中小微电子企业的工程师推荐中国芯应用，不断强化桥梁纽带作用，助力中国芯发展，未来可期。
注：本文图片整理自网络，方案素材整理自充电头网。
玩家完成16GB GeForce RTX 2080手动改装 升级后性能提升8%
巴西技术爱好者保罗-戈麦斯（Paulo Gomes）与杰斐逊-席尔瓦（Jefferson Silva）和伊戈尔-莫塔（Ygor Mota）合作，成功地将一块 EVGA GeForce RTX 2080"图灵"显卡改装成了16 GB显存。
其方法是将每块 8 Gbit GDDR6 显存芯片更换为双倍密度（16 Gbit）的芯片。在图形处理器的 256 位宽内存总线上，8 个这样的芯片加起来就是 16 GB。内存速度保持 14 Gbps 不变，GPU 时钟也是如此。
改装过程包括拆焊 8 个 8 Gbit 芯片中的每个芯片，清除内存焊盘上的短路引脚，使用 GDDR6 模板放置替换焊球，然后在加热情况下将新的 16 Gbit 芯片焊接到焊盘上。
除了更换内存芯片外，还需要调整 BIOS ROM 芯片附近的一系列 SMD 跳线，这样 GPU 才能正确识别 16GB 内存大小。TU104 芯片默认支持更高密度的内存，因为英伟达（NVIDIA）在其部分配备 16GB 内存的专业显卡上使用了该芯片，如Quadro RTX 5000。
而软件方面无需做任何操作，TechPowerUp GPU-Z 就会显示检测到的显存大小。通过运行"生化危机 4"基准测试表明，该游戏使用了近 9.8 GB 的显存，而原版显卡仅使用了 7.7 GB，性能提升了 7.82%，从平均 64 FPS 提升到 69 FPS。这比 RTX 4060 Ti 的 8 GB 和 16 GB 版本之间的性能差距更大。
除了游戏性能的提升，16 GB 内存还能显著提高 RTX 2080 的 AI 生成性能。
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